CQY36N データシート(PDF) - Vishay Siliconix

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CQY36N データシート (PDF) - Vishay Siliconix

CQY36N Datasheet PDF - Vishay Siliconix


部品番号	CQY36N

ダウンロード	CQY36N ダウンロード

ファイルサイズ	120.82 Kbytes

ページ	6 Pages

メーカー	VISHAY [Vishay Siliconix]

ホームページ	http://www.vishay.com

Logo

部品情報	GaAs Infrared Emitting Diode in Miniature (T-3/4) Package

CQY36N Datasheet (PDF)

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CQY36N Datasheet PDF - Vishay Siliconix


部品番号	CQY36N

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ファイルサイズ	120.82 Kbytes

ページ	6 Pages

メーカー	VISHAY [Vishay Siliconix]

ホームページ	http://www.vishay.com

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部品情報	GaAs Infrared Emitting Diode in Miniature (T-3/4) Package

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CQY36N 製品詳細

DESCRIPTION
CQY36N is an infrared, 950 nm emitting diode in GaAs technology molded in a miniature, clear plastic package without lens.

FEATURES
• Package type: leaded
• Package form: T-¾
• Dimensions (in mm): Ø 1.8
• Peak wavelength: λp = 950 nm
• High reliability
• Angle of half intensity: φ = ± 55°
• Low forward voltage
• Suitable for high pulse current operation
• Good spectral matching with Si photodetectors
• Package matches with detector BPW16N
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance with WEEE 2002/96/EC

APPLICATIONS
• Radiation source in near infrared range

同様の部品番号 - CQY36N

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Vishay Siliconix	CQY36N	99Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs 04-Sep-08
	CQY36N	95Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs 16-May-11
	CQY36N	98Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs 16-May-11
	CQY36N	97Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs 16-May-11
	CQY36N	99Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs 04-Sep-08

同様の説明 - CQY36N

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Vishay Siliconix	CQY37N	76Kb / 5P	GaAs Infrared Emitting Diode in Miniature (T-3/4)Package 20-May-99
Unity Opto Technology	MIE-516A2U	29Kb / 2P	AlGaAs/GaAs T-1 3/4 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE
	MIE-516A4U	30Kb / 2P	AlGaAs/GaAs T-1 3/4 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE
	MIE-526A2U	30Kb / 2P	AlGaAs/GaAs T-1 3/4 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE
	MIE-526A4U	30Kb / 2P	AlGaAs/GaAs T-1 3/4 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE
	MIE-536A2U	30Kb / 2P	AlGaAs/GaAs T-1 3/4 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE
	MIE-546A2U	30Kb / 2P	AlGaAs/GaAs T-1 3/4 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE
	MIE-556A4U	30Kb / 2P	AlGaAs/GaAs T-1 3/4 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE
	MIE-824A4	31Kb / 2P	AlGaAs/GaAs T-1 3/4 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE
Vishay Siliconix	CQY37N	106Kb / 6P	GaAs Infrared Emitting Diode in Miniature (T-4/3) Package 30-Mar-06

Vishay Siliconix について

Vishay Siliconixは、パッシブ電子コンポーネントのグローバルメーカーであるVishay Intertechnologyの子会社です。
Vishay Siliconixは、パワーMOSFET、IGBT、およびその他のパワー半導体の設計、製造、およびマーケティングを専門としています。
同社は1962年に設立され、カリフォルニア州サンタクララに本社を置いています。
Vishay Siliconixは、再生可能エネルギーシステム、産業機器、コンピューティングと通信、自動車電子機器など、さまざまなアプリケーション向けの電源ソリューションを提供しています。
同社の製品は、高効率、低消費電力、高い信頼性のために設計されており、高度な製造プロセスを使用して最先端の施設で製造されています。
イノベーションと顧客満足度に焦点を当てたVishay Siliconixは、ニーズを満たすために顧客に最良の電力管理ソリューションを提供することに取り組んでいます。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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