TSTS730 データシート(PDF) - Vishay Siliconix

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TSTS730 データシート (PDF) - Vishay Siliconix

TSTS730 Datasheet PDF - Vishay Siliconix


部品番号	TSTS730

ダウンロード	TSTS730 ダウンロード

ファイルサイズ	81.75 Kbytes

ページ	5 Pages

メーカー	VISHAY [Vishay Siliconix]

ホームページ	http://www.vishay.com

Logo

部品情報	GaAs IR Emitting Diodes in Hermetically Sealed TO18 Case

TSTS730 Datasheet (PDF)

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TSTS730 Datasheet PDF - Vishay Siliconix


部品番号	TSTS730

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ページ	5 Pages

メーカー	VISHAY [Vishay Siliconix]

ホームページ	http://www.vishay.com

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部品情報	GaAs IR Emitting Diodes in Hermetically Sealed TO18 Case

TSTS730 データシート (HTML) - Vishay Siliconix

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TSTS730 製品詳細

Description
The TSTS730. series are infrared emitting diodes in standard GaAs technology in a hermetically sealed TO-18 package. Their glass lenses provide a high radiant intensity without external optics.

Features
• High radiant intensity
• Suitable for pulse operation
• Angle of half intensity ϕ = ± 12°
• Peak wavelength λp = 950 nm
• High reliability
• Good spectral matching to Si photodetectors
• Lead-free device

Applications
Radiation source in near infrared range

同様の部品番号 - TSTS730

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Vishay Siliconix	TSTS7300	146Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs 04-Sep-08
	TSTS7300	140Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs 04-Sep-08
	TSTS7300	139Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs 04-Sep-08
	TSTS7300	146Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs 04-Sep-08
	TSTS7300	140Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs 04-Sep-08

同様の説明 - TSTS730

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Vishay Siliconix	TSTA7100	82Kb / 6P	GaAlAs IR Emitting Diode in Hermetically Sealed TO18 Case 20-May-99
	TSTA7300	82Kb / 6P	GaAlAs IR Emitting Diode in Hermetically Sealed TO18 Case 20-May-99
	TSTS710	81Kb / 5P	GaAs IR Emitting Diodes in Hermetically Sealed TO18 Case 20-May-99
	TSTS750	81Kb / 5P	GaAs IR Emitting Diodes in Hermetically Sealed TO18 Case 20-May-99
Seme LAB	2N2412X	14Kb / 1P	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO18
	2N3007	14Kb / 1P	Bipolar NPNP Device in a Hermetically sealed TO18
	2N3250A	14Kb / 1P	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO18
	BFY74	14Kb / 1P	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18
	CV7477	14Kb / 1P	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18

Vishay Siliconix について

Vishay Siliconixは、パッシブ電子コンポーネントのグローバルメーカーであるVishay Intertechnologyの子会社です。
Vishay Siliconixは、パワーMOSFET、IGBT、およびその他のパワー半導体の設計、製造、およびマーケティングを専門としています。
同社は1962年に設立され、カリフォルニア州サンタクララに本社を置いています。
Vishay Siliconixは、再生可能エネルギーシステム、産業機器、コンピューティングと通信、自動車電子機器など、さまざまなアプリケーション向けの電源ソリューションを提供しています。
同社の製品は、高効率、低消費電力、高い信頼性のために設計されており、高度な製造プロセスを使用して最先端の施設で製造されています。
イノベーションと顧客満足度に焦点を当てたVishay Siliconixは、ニーズを満たすために顧客に最良の電力管理ソリューションを提供することに取り組んでいます。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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