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NESG4030M14-T3 データシート (PDF) - NEC
NESG4030M14-T3 Datasheet PDF - NEC
部品番号 NESG4030M14-T3
ダウンロード  NESG4030M14-T3 ダウンロード
ファイルサイズ   112.49 Kbytes
ページ   10 Pages
メーカー  NEC [NEC]
ホームページ  http://www.nec.com/
Logo NEC - NEC
部品情報 NPN SiGe:C RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 4-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M14, 1208 PKG)

NESG4030M14-T3 Datasheet (PDF)

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NESG4030M14-T3 Datasheet PDF - NEC

部品番号 NESG4030M14-T3
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ファイルサイズ   112.49 Kbytes
ページ   10 Pages
メーカー  NEC [NEC]
ホームページ  http://www.nec.com/
Logo NEC - NEC
部品情報 NPN SiGe:C RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 4-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M14, 1208 PKG)

NESG4030M14-T3 データシート (HTML) - NEC


NESG4030M14-T3 製品詳細

NPN SiGe:C RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 4-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M14, 1208 PKG)

FEATURES
• The device is an ideal choice for low noise, high-gain amplification
   NF = 1.1 dB TYP., Ga = 11.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 5.8 GHz
• Maximum stable power gain: MSG = 15 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 5.8 GHz
• SiGe:C HBT technology (UHS4) adopted
• Improvement of ESD protection
• 4-pin lead-less minimold (M14, 1208 PKG)




同様の部品番号 - NESG4030M14-T3

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
Renesas Technology Corp		 NESG4030M14-T3 RENESAS-NESG4030M14-T3 Datasheet
327Kb / 12P		 NPN SILICON GERMANIUM C RF TRANSISTOR
2009
NESG4030M14-T3-A RENESAS-NESG4030M14-T3-A Datasheet
327Kb / 12P		 NPN SILICON GERMANIUM C RF TRANSISTOR
2009
More results


同様の説明 - NESG4030M14-T3

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
NEC		 2SC5787 NEC-2SC5787 Datasheet
100Kb / 22P		 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW NOISE 3-PIN LEAD-LESS MINIMOLD
2SC5746 NEC-2SC5746 Datasheet
100Kb / 22P		 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW NOISE 3-PIN LEAD-LESS MINIMOLD
NESG2021M16 NEC-NESG2021M16 Datasheet
120Kb / 12P		 NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG)
NESG2031M16 NEC-NESG2031M16 Datasheet
119Kb / 12P		 NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG)
NESG2101M16 NEC-NESG2101M16_1 Datasheet
135Kb / 13P		 NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (125 mW) 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG)
2SC5606 NEC-2SC5606_1 Datasheet
73Kb / 7P		 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE 쨌 HIGH-GAIN AMPLIFICATION 3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLD (19, 1608 PKG)
logo
California Eastern Labs		 NESG3031M05-T1-A CEL-NESG3031M05-T1-A Datasheet
673Kb / 9P		 NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M05, 2012 PKG)
NESG2021M16 CEL-NESG2021M16 Datasheet
861Kb / 11P		 NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG)
NE66219 CEL-NE66219 Datasheet
329Kb / 6P		 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE 쨌 HIGH-GAIN AMPLIFICATION 3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLD (19, 1608 PKG)
NESG210719 CEL-NESG210719 Datasheet
1Mb / 9P		 NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN Amplification 3-Pin Ultra Super Minimold (19, 1608 PKG)
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NEC について

NEC Corporationは、日本の多国籍情報技術および電子会社です。同社は1899年に設立され、日本の東京に本社を置いています。 NECは、情報技術、通信、電子機器など、幅広い製品とサービスを提供しています。そのポートフォリオには、コンピューターハードウェア、ソフトウェア、サービス、ネットワークソリューション、ディスプレイソリューション、エンタープライズサーバー、ストレージソリューションが含まれます。

NECは、情報技術の分野での専門知識と、革新的で高品質の製品とサービスを提供する能力で知られています。同社は、世界中のさまざまな国に運営と施設を持ち、アジア太平洋地域で強い存在感を示しています。 NECは、顧客と緊密に連携して、特定の要件とニーズを満たすカスタマイズされたソリューションを提供します。

コアビジネスに加えて、NECは研究開発の分野でも活動しており、人工知能、5Gネットワ​​ーク、モノのインターネット（IoT）などの高度な技術に関連するさまざまなプロジェクトに関与しています。 NECは、社会の発展をサポートし、世界中の人々の生活の質を向上させる持続可能なソリューションを提供することに取り組んでいます。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。




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