PDTB113E データシート(PDF) - NXP Semiconductors

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PDTB113E データシート (PDF) - NXP Semiconductors

PDTB113E Datasheet PDF - NXP Semiconductors


部品番号	PDTB113E

ダウンロード	PDTB113E ダウンロード

ファイルサイズ	138.34 Kbytes

ページ	10 Pages

メーカー	NXP [NXP Semiconductors]

ホームページ	http://www.nxp.com

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部品情報	PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 k廓, R2 = 1 k廓

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メーカー	NXP [NXP Semiconductors]

ホームページ	http://www.nxp.com

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部品情報	PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 k廓, R2 = 1 k廓

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同様の部品番号 - PDTB113E

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
NXP Semiconductors	PDTB113EK	948Kb / 12P	Low VCEsat (BISS) transistors May 2006
Nexperia B.V. All right...	PDTB113EK	245Kb / 11P	NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 kΩ, R2 = 1 kΩ Rev. 02 - 16 November 2009
	PDTB113EQA	3Mb / 23P	50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistors
	PDTB113EQA	2Mb / 24P	50 V, 500 mA NPN resistor-equipped transistors Rev. 1 - 4 February 2016
	PDTB113EQA	3Mb / 23P	50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistors Rev. 1 - 30 March 2016

同様の説明 - PDTB113E

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
NXP Semiconductors	PDTB113Z	138Kb / 10P	PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 k廓, R2 = 10 k廓 Rev. 02-16 November 2009
	PDTD113E	131Kb / 10P	NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 k廓, R2 = 1 k廓 v
	PDTD113E	131Kb / 10P	NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 k廓, R2 = 1 k廓 Rev. 02-16 November 2009
	PDTB123E	138Kb / 10P	PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k廓, R2 = 2.2 k廓 Rev. 02-16 November 2009
	PDTB123Y	138Kb / 10P	PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k廓, R2 = 10 k廓 Rev. 02-16 November 2009
Nexperia B.V. All right...	PDTA113EMB	755Kb / 13P	PNP resistor-equipped transistor; R1 = 1 k廓, R2 = 1 k廓
NXP Semiconductors	PDTD123Y	132Kb / 10P	NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k廓, R2 = 10 k廓 Rev. 02-16 November 2009
Nexperia B.V. All right...	PDTA113ZMB	628Kb / 13P	PNP resistor-equipped transistor; R1 = 1 k廓, R2 = 10 k廓
NXP Semiconductors	PDTD123Y	132Kb / 10P	NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors R1 = 2.2 k廓, R2 = 10 k廓 Rev. 02-16 November 2009
NXP Semiconductors	PDTD123E	131Kb / 10P	NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k廓, R2 = 2.2 k廓 Rev. 02-16 November 2009

NXP Semiconductors について

NXP Semiconductorsは、自動車、産業、通信、消費者市場など、さまざまなアプリケーション向けの幅広い半導体および統合サーキットを設計、開発、製造する公開された多国籍企業です。

同社は2006年に設立され、オランダのアインドホーフェンに本社を置いています。

NXPは、マイクロコントローラー、マイクロプロセッサ、セキュア認証IC、電源管理ICS、RFおよびマイクロ波コンポーネント、センサーソリューションなど、製品の幅広いポートフォリオを提供します。

同社の製品は、エネルギー効率が高く、安全で、信頼性が高いように設計されており、自動車システム、産業用自動化と制御、スマートホームと建物、接続されたデバイスなど、さまざまなアプリケーションで使用されています。

NXPはイノベーションと顧客満足度に専念しており、ニーズを満たすために顧客に最適な半導体ソリューションを提供することに取り組んでいます。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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