NESG220034 データシート(PDF) - NEC

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NESG220034 データシート (PDF) - NEC

NESG220034 Datasheet PDF - NEC


部品番号	NESG220034

ダウンロード	NESG220034 ダウンロード

ファイルサイズ	97.46 Kbytes

ページ	9 Pages

メーカー	NEC [NEC]

ホームページ	http://www.nec.com/

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部品情報	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)

NESG220034 Datasheet (PDF)

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メーカー	NEC [NEC]

ホームページ	http://www.nec.com/

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部品情報	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)

NESG220034 データシート (HTML) - NEC

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NESG220034 製品詳細

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR
UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION
3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)

FEATURES
• The device is an ideal choice for low noise, low distortion amplification.
NF = 0.7 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 1 GHz
• PO (1 dB) = 22.5 dBm TYP. @ VCE = 5 V, IC (set) = 40 mA, f = 1 GHz
• OIP3 = 35 dBm TYP. @ VCE = 5 V, IC (set) = 40 mA, f = 1 GHz
• Maximum stable power gain: MSG =12.5 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 40 mA, f = 1 GHz
• SiGe HBT technology (UHS2) : fT = 11.5 GHz
• This product is improvement of ESD of NESG2xxx series.
• 3-pin power minimold (34 PKG)

同様の部品番号 - NESG220034

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Renesas Technology Corp	NESG220034	226Kb / 11P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)
	NESG220034-A	137Kb / 2P	RF & Microwave device
	NESG220034-T1	226Kb / 11P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)

同様の説明 - NESG220034

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
California Eastern Labs	NESG270034	349Kb / 11P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (2 W) 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)
NEC	NESG210833	103Kb / 8P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
	NESG220033	95Kb / 8P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
	NESG240033	103Kb / 8P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
	NESG240034	91Kb / 9P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)
Renesas Technology Corp	NESG210833	232Kb / 10P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
	NESG220033	224Kb / 10P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
	NESG220034	226Kb / 11P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)
	NESG240033	232Kb / 10P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
	NESG240034	221Kb / 11P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)

NEC について

NEC Corporationは、日本の多国籍情報技術および電子会社です。同社は1899年に設立され、日本の東京に本社を置いています。 NECは、情報技術、通信、電子機器など、幅広い製品とサービスを提供しています。そのポートフォリオには、コンピューターハードウェア、ソフトウェア、サービス、ネットワークソリューション、ディスプレイソリューション、エンタープライズサーバー、ストレージソリューションが含まれます。

NECは、情報技術の分野での専門知識と、革新的で高品質の製品とサービスを提供する能力で知られています。同社は、世界中のさまざまな国に運営と施設を持ち、アジア太平洋地域で強い存在感を示しています。 NECは、顧客と緊密に連携して、特定の要件とニーズを満たすカスタマイズされたソリューションを提供します。

コアビジネスに加えて、NECは研究開発の分野でも活動しており、人工知能、5Gネットワーク、モノのインターネット（IoT）などの高度な技術に関連するさまざまなプロジェクトに関与しています。 NECは、社会の発展をサポートし、世界中の人々の生活の質を向上させる持続可能なソリューションを提供することに取り組んでいます。

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