IXFN520N075T2 データシート(PDF) - IXYS Corporation

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IXFN520N075T2 データシート (PDF) - IXYS Corporation

IXFN520N075T2 Datasheet PDF - IXYS Corporation


部品番号	IXFN520N075T2

ダウンロード	IXFN520N075T2 ダウンロード

ファイルサイズ	180.23 Kbytes

ページ	6 Pages

メーカー	IXYS [IXYS Corporation]

ホームページ	http://www.ixys.com

Logo

部品情報	TrenchT2 GigaMOS HiperFET Power MOSFET

IXFN520N075T2 Datasheet (PDF)

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IXFN520N075T2 Datasheet PDF - IXYS Corporation


部品番号	IXFN520N075T2

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ページ	6 Pages

メーカー	IXYS [IXYS Corporation]

ホームページ	http://www.ixys.com

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部品情報	TrenchT2 GigaMOS HiperFET Power MOSFET

IXFN520N075T2 データシート (HTML) - IXYS Corporation

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IXFN520N075T2 Datasheet HTML 6Page - IXYS Corporation

IXFN520N075T2 製品詳細

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode

Features

• International Standard Package

• miniBLOC, with Aluminium Nitride Isolation

• 175°C Operating Temperature

• Isolation Voltage 2500 V~

• High Current Handling Capability

• Fast Intrinsic Diode

• Avalanche Rated

• Low RDS(on)

Applications

• DC-DC Converters and Off-Line UPS

• Primary-Side Switch

• High Speed Power Switching Applications

Advantages

• Easy to Mount

• Space Savings

• High Power Density

同様の部品番号 - IXFN520N075T2

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
IXYS Corporation	IXFN52N90P	119Kb / 4P	Polar Power MOSFET HiPerFET

同様の説明 - IXFN520N075T2

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
IXYS Corporation	IXFK360N15T2	186Kb / 6P	GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
	IXFK320N17T2	190Kb / 6P	GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
	IXFN320N17T2	184Kb / 6P	GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
	IXFK240N15T2	186Kb / 6P	GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
	IXFN240N15T2	178Kb / 6P	GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
	IXFK220N17T2	184Kb / 6P	GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
	IXFK520N075T2	183Kb / 6P	TrenchT2 GigaMOS HiperFET Power MOSFET
	IXFZ520N075T2	205Kb / 6P	TrenchT2 GigaMOS HiperFET Power MOSFET
	IXFH160N15T2	200Kb / 6P	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
	IXTN550N055T2	184Kb / 6P	TrenchT2 GigaMOS Power MOSFET

IXYS Corporation について

Ixys Corporationは、電力半導体および統合サーキット（IC）の設計、製造、販売を専門とするテクノロジー企業です。同社は1983年に設立され、カリフォルニア州ミルピタスに本社を置いています。 Ixysには世界的な存在感があり、世界中の60か国以上の運営と顧客がいます。

Ixysは、電力管理および制御アプリケーションのために、パワーMOSFET、パワーバイポーラトランジスタ、サイリスタ、ダイオード、ICSなど、幅広い製品とソリューションを提供します。同社の製品は、再生可能エネルギー、産業、自動車、家電など、さまざまなアプリケーションで使用されています。

Ixysは、電力半導体テクノロジーの専門知識と、顧客に高性能で費用対効果の高いソリューションを提供する能力で知られています。同社はイノベーションと研究開発に取り組んでおり、パワー半導体市場向けの新しいテクノロジーとソリューションの開発に積極的に関与しています。 Ixysは、Power Semiconductor Marketのリーダーであり、顧客に高品質の製品とサービスを提供し続けています。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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