GA200SA60SP データシート(PDF) - Vishay Siliconix

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GA200SA60SP データシート (PDF) - Vishay Siliconix

GA200SA60SP Datasheet PDF - Vishay Siliconix


部品番号	GA200SA60SP

ダウンロード	GA200SA60SP ダウンロード

ファイルサイズ	182.52 Kbytes

ページ	9 Pages

メーカー	VISHAY [Vishay Siliconix]

ホームページ	http://www.vishay.com

Logo

部品情報	Insulated Gate Bipolar Transistor Ultralow VCE(on), 342 A

GA200SA60SP Datasheet (PDF)

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部品番号	GA200SA60SP

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ファイルサイズ	182.52 Kbytes

ページ	9 Pages

メーカー	VISHAY [Vishay Siliconix]

ホームページ	http://www.vishay.com

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部品情報	Insulated Gate Bipolar Transistor Ultralow VCE(on), 342 A

GA200SA60SP データシート (HTML) - Vishay Siliconix

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GA200SA60SP 製品詳細

Insulated Gate Bipolar Transistor Ultralow VCERevision: 22-Jul-10
(on), 342 A

FEATURES

• Standard: Optimized for minimum saturation voltage and low speed up to 5 kHz

• Lowest conduction losses available

• Fully isolated package (2500 VAC)

• Very low internal inductance (5 nH typical)

• Industry standard outline

• UL approved file E78996

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

• Designed and qualified for industrial level

BENEFITS

• Designed for increased operating efficiency in power conversion: UPS, SMPS, TIG welding, induction heating

• Easy to assemble and parallel

• Direct mounting to heatsink

• Plug-in compatible with other SOT-227 packages

同様の部品番号 - GA200SA60SP

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
International Rectifier	GA200SA60SP	322Kb / 9P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Vishay Siliconix	GA200SA60SP	181Kb / 9P	Insulated Gate Bipolar Transistor Ultralow VCE(on), 342 A 22-Jul-10
Vishay Siliconix	GA200SA60SP	181Kb / 9P	Insulated Gate Bipolar Transistor Ultralow VCE(on), 342 A 22-Jul-10

同様の説明 - GA200SA60SP

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
International Rectifier	IRG4BC30K	137Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
	IRG4BC30U	167Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
	IRG4PC30F	145Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
	IRG4PC40W	116Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A)
	IRGBF20F	255Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vce=900V, @Vge=15V, Ic=5.3A)
	IRG4BH20K-LPBF	298Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR ( VCES=1200V , VCE(on)typ.=3.17V , @VGE=15V.Ic=5.0A )
Vishay Siliconix	VS-GA250SA60S	288Kb / 9P	Insulated Gate Bipolar Transistor Ultralow VCE(on), 250 A 20-May-16
	GA200SA60SP	181Kb / 9P	Insulated Gate Bipolar Transistor Ultralow VCE(on), 342 A 22-Jul-10
	VS-GT250SA60S	196Kb / 9P	Insulated Gate Bipolar Transistor Ultralow VCE(on), 250 A 20-Jul-2021
	VS-GT250SA60S	196Kb / 9P	Insulated Gate Bipolar Transistor Ultralow VCE(on), 250 A 20-Jul-2021

Vishay Siliconix について

Vishay Siliconixは、パッシブ電子コンポーネントのグローバルメーカーであるVishay Intertechnologyの子会社です。
Vishay Siliconixは、パワーMOSFET、IGBT、およびその他のパワー半導体の設計、製造、およびマーケティングを専門としています。
同社は1962年に設立され、カリフォルニア州サンタクララに本社を置いています。
Vishay Siliconixは、再生可能エネルギーシステム、産業機器、コンピューティングと通信、自動車電子機器など、さまざまなアプリケーション向けの電源ソリューションを提供しています。
同社の製品は、高効率、低消費電力、高い信頼性のために設計されており、高度な製造プロセスを使用して最先端の施設で製造されています。
イノベーションと顧客満足度に焦点を当てたVishay Siliconixは、ニーズを満たすために顧客に最良の電力管理ソリューションを提供することに取り組んでいます。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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