NX6411GH データシート(PDF) - Renesas Technology Corp

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NX6411GH データシート (PDF) - Renesas Technology Corp

NX6411GH Datasheet PDF - Renesas Technology Corp


部品番号	NX6411GH

ダウンロード	NX6411GH ダウンロード

ファイルサイズ	177.82 Kbytes

ページ	8 Pages

メーカー	RENESAS [Renesas Technology Corp]

ホームページ	http://www.renesas.com

Logo

部品情報	LASER DIODE 1 490 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE FOR 2.5 Gb/s FTTH PON APPLICATION

NX6411GH Datasheet (PDF)

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部品情報	LASER DIODE 1 490 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE FOR 2.5 Gb/s FTTH PON APPLICATION

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NX6411GH 製品詳細

DESCRIPTION
The NX6411GH is a 1 490 nm Multiple Quantum Well (MQW) structured Distributed Feed-Back (DFB) laser diode with InGaAs monitor PIN-PD.

FEATURES
• Optical output power Po = 14.0 mW
• Low threshold current lth = 10 mA
• Differential efficiency ηd = 0.3 W/A
• Wide operating temperature range TC = −40 to +85°C
• InGaAs monitor PIN-PD
• CAN package φ 5.6 mm
• Focal point 10 mm

APPLICATION
• 2.5 Gb/s FTTH PON (Fiber To The Home Passive Optical Network)

同様の部品番号 - NX6411GH

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
California Eastern Labs	NX6411GH	190Kb / 7P	1 490 nm Multiple Quantum Well (MQW) structured Distributed Feed-Back (DFB) laser diode with InGaAs monitor PIN-PD.
California Eastern Labs	NX6411GH-AZ	190Kb / 7P	1 490 nm Multiple Quantum Well (MQW) structured Distributed Feed-Back (DFB) laser diode with InGaAs monitor PIN-PD.
Renesas Technology Corp	NX6411GH	170Kb / 8P	LASER DIODE 1 490 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE FOR 2.5 Gb/s FTTH PON APPLICATION

同様の説明 - NX6411GH

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
California Eastern Labs	NX5315EH	283Kb / 7P	1 310 nm FOR FTTH PON APPLICATION InGaAsP MQW-FP LASER DIODE
Renesas Technology Corp	NX6410GH	178Kb / 8P	LASER DIODE 1 490 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE FOR 2.5 Gb/s FTTH PON APPLICATION
	NX6308GH	221Kb / 9P	1 310 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE FOR 1.25 Gb/s FTTH PON APPLICATION
	NX6309GH	221Kb / 9P	1 310 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE FOR 1.25 Gb/s FTTH PON APPLICATION
California Eastern Labs	NX6414EH	173Kb / 8P	LASER DIODE 1 490 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE
Renesas Technology Corp	NX6410GH	170Kb / 8P	LASER DIODE 1 490 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE FOR 2.5 Gb/s FTTH PON APPLICATION
	NX6411GH	170Kb / 8P	LASER DIODE 1 490 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE FOR 2.5 Gb/s FTTH PON APPLICATION
	NX6308GH	221Kb / 9P	1 310 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE FOR 1.25 Gb/s FTTH PON APPLICATION
	NX6309GH	221Kb / 9P	1 310 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE FOR 1.25 Gb/s FTTH PON APPLICATION
	PL10692EJ03V0DS	221Kb / 9P	1 310 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE FOR 1.25 Gb/s FTTH PON APPLICATION

Renesas Technology Corp について

Renesas Technology Corpは、自動車、産業、消費者市場のさまざまなアプリケーションに幅広いマイクロコントローラー、システムオンチップ、アナログおよび電源デバイスを提供する日本の半導体会社です。
同社は2010年にNEC Electronics CorporationとRenesas Technology Corporationの合併を通じて設立されました。
Renesasは、世界最大のマイクロコントローラーサプライヤーの1つであり、モノのインターネット（IoT）、人工知能（AI）、自動車エレクトロニクスなどの分野での高度な技術の開発に関する専門知識で知られています。
同社は20か国以上で事業を展開しており、その製品は幅広いアプリケーションで使用されています。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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