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2SC3355-T データシート (PDF) - Renesas Technology Corp
2SC3355-T Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
部品番号 2SC3355-T
ダウンロード  2SC3355-T ダウンロード
ファイルサイズ   248.21 Kbytes
ページ   10 Pages
メーカー  RENESAS [Renesas Technology Corp]
ホームページ  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
部品情報 NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION

2SC3355-T Datasheet (PDF)

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2SC3355-T Datasheet PDF - Renesas Technology Corp

部品番号 2SC3355-T
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ファイルサイズ   248.21 Kbytes
ページ   10 Pages
メーカー  RENESAS [Renesas Technology Corp]
ホームページ  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
部品情報 NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION

2SC3355-T データシート (HTML) - Renesas Technology Corp


2SC3355-T 製品詳細

DESCRIPTION
The 2SC3355 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. It has lange dynamic range and good current characteristic.

FEATURES
• Low noise and high gain
   NF = 1.1 dB TYP., Ga= 8.0 dB TYP. @ VCE= 10 V, IC= 7 mA, f = 1 GHz
   NF = 1.8 dB TYP., Ga= 9.0 dB TYP. @ VCE= 10 V, IC= 40 mA, f = 1 GHz
• High power gain : MAG = 11 dB TYP. @ VCE= 10 V, IC= 20 mA, f = 1 GHz




同様の部品番号 - 2SC3355-T

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
Renesas Technology Corp		 2SC3355-T RENESAS-2SC3355-T Datasheet
293Kb / 10P		 NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION
logo
Unisonic Technologies		 2SC3355-T92-B UTC-2SC3355-T92-B Datasheet
82Kb / 2P		 HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER
2SC3355-T92-K UTC-2SC3355-T92-K Datasheet
82Kb / 2P		 HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER
2SC3355-T92-R UTC-2SC3355-T92-R Datasheet
82Kb / 2P		 HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER
More results


同様の説明 - 2SC3355-T

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
NEC		 2SC3663 NEC-2SC3663 Datasheet
110Kb / 8P		 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION
2SC5432 NEC-2SC5432 Datasheet
59Kb / 8P		 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION
2SC5433 NEC-2SC5433 Datasheet
59Kb / 8P		 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION
2SC5434 NEC-2SC5434 Datasheet
61Kb / 8P		 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION
2SC5435 NEC-2SC5435 Datasheet
59Kb / 8P		 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION
logo
Renesas Technology Corp		 2SC2570A RENESAS-2SC2570A Datasheet
293Kb / 10P		 NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION
2SC4093 RENESAS-2SC4093 Datasheet
175Kb / 9P		 NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION
logo
California Eastern Labs		 NE85634 CEL-NE85634 Datasheet
216Kb / 6P		 NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION
logo
Renesas Technology Corp		 2SC5013 RENESAS-2SC5013_15 Datasheet
190Kb / 9P		 NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION
2SC5432 RENESAS-2SC5432 Datasheet
314Kb / 12P		 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION
February 2002
More results




Renesas Technology Corp について

Renesas Technology Corpは、自動車、産業、消費者市場のさまざまなアプリケーションに幅広いマイクロコントローラー、システムオンチップ、アナログおよび電源デバイスを提供する日本の半導体会社です。
同社は2010年にNEC Electronics CorporationとRenesas Technology Corporationの合併を通じて設立されました。
Renesasは、世界最大のマイクロコントローラーサプライヤーの1つであり、モノのインターネット（IoT）、人工知能（AI）、自動車エレクトロニクスなどの分野での高度な技術の開発に関する専門知識で知られています。
同社は20か国以上で事業を展開しており、その製品は幅広いアプリケーションで使用されています。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。




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