NE5550779A データシート(PDF) - Renesas Technology Corp

データシートサーチシステム

ALLDATASHEET.JP

X

NE5550779A データシート (PDF) - Renesas Technology Corp

NE5550779A Datasheet PDF - Renesas Technology Corp


部品番号	NE5550779A

ダウンロード	NE5550779A ダウンロード

ファイルサイズ	3206.69 Kbytes

ページ	17 Pages

メーカー	RENESAS [Renesas Technology Corp]

ホームページ	http://www.renesas.com

Logo

部品情報	Silicon Power LDMOS FET

NE5550779A Datasheet (PDF)

Go To PDF Page

ダウンロードデータシート

NE5550779A Datasheet PDF - Renesas Technology Corp


部品番号	NE5550779A

ダウンロード	NE5550779A Click to download

ファイルサイズ	3206.69 Kbytes

ページ	17 Pages

メーカー	RENESAS [Renesas Technology Corp]

ホームページ	http://www.renesas.com

Logo

部品情報	Silicon Power LDMOS FET

NE5550779A データシート (HTML) - Renesas Technology Corp

NE5550779A Datasheet HTML 1Page - Renesas Technology Corp

NE5550779A Datasheet HTML 2Page - Renesas Technology Corp

NE5550779A Datasheet HTML 3Page - Renesas Technology Corp

NE5550779A Datasheet HTML 4Page - Renesas Technology Corp

NE5550779A Datasheet HTML 5Page - Renesas Technology Corp

NE5550779A Datasheet HTML 6Page - Renesas Technology Corp

NE5550779A Datasheet HTML 7Page - Renesas Technology Corp

NE5550779A Datasheet HTML 8Page - Renesas Technology Corp

NE5550779A Datasheet HTML 9Page - Renesas Technology Corp

NE5550779A Datasheet HTML 10Page - Renesas Technology Corp

NE5550779A 製品詳細

FEATURES

• High Output Power   : Pout = 38.5 dBm TYP. (VDS = 7.5 V, IDset= 140 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm)

• High power added efficiency : ηadd = 66% TYP. (VDS= 7.5 V, IDset= 140 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm)

• High Linear gain   : GL = 22.0 dB TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 140 mA, f = 460 MHz, Pin = 10 dBm)

• High ESD tolerance

• Suitable for VHF to UHF-BAND Class-AB power amplifier.

同様の部品番号 - NE5550779A

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
California Eastern Labs	NE5550779A	3Mb / 16P	Silicon Power LDMOS FET
	NE5550779A-A	3Mb / 16P	Silicon Power LDMOS FET
	NE5550779A-T1	3Mb / 16P	Silicon Power LDMOS FET
	NE5550779A-T1-A	3Mb / 16P	Silicon Power LDMOS FET
	NE5550779A-T1A	3Mb / 16P	Silicon Power LDMOS FET

同様の説明 - NE5550779A

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Motorola, Inc	MRF9745T1	60Kb / 4P	HIGH FREQUENCY POWER TRANSISTOR LDMOS FET
Renesas Technology Corp	NE5550279A	470Kb / 9P	Silicon Power LDMOS FET
	NE5550979A	438Kb / 10P	Silicon Power LDMOS FET
	NE5550979A	790Kb / 13P	Silicon Power LDMOS FET
California Eastern Labs	NE5550279A	772Kb / 8P	Silicon Power LDMOS FET
M/A-COM Technology Solu...	MAPLST1617-030CF	181Kb / 6P	LDMOS RF Line Power FET Transistor
California Eastern Labs	NE5550979A	1Mb / 12P	Silicon Power LDMOS FET
California Eastern Labs	NE5550779A	3Mb / 16P	Silicon Power LDMOS FET
Renesas Technology Corp	NE5550979A	784Kb / 13P	Silicon Power LDMOS FET
M/A-COM Technology Solu...	MAPLST1617-030CF	181Kb / 6P	LDMOS RF Line Power FET Transistor

Renesas Technology Corp について

Renesas Technology Corpは、自動車、産業、消費者市場のさまざまなアプリケーションに幅広いマイクロコントローラー、システムオンチップ、アナログおよび電源デバイスを提供する日本の半導体会社です。
同社は2010年にNEC Electronics CorporationとRenesas Technology Corporationの合併を通じて設立されました。
Renesasは、世界最大のマイクロコントローラーサプライヤーの1つであり、モノのインターネット（IoT）、人工知能（AI）、自動車エレクトロニクスなどの分野での高度な技術の開発に関する専門知識で知られています。
同社は20か国以上で事業を展開しており、その製品は幅広いアプリケーションで使用されています。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

リンク URL

ALLDATASHEETはお客様のビジネスに役立ちますか？ [ DONATE ]

Alldatasheetは | 広告 | お問い合わせ | プライバシーポリシー | データシートへのリンク | リンク交換 | メーカーリスト
All Rights Reserved©Alldatasheet.com

Mirror Sites English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com