MTP10N10EL データシート(PDF) - Motorola, Inc

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MTP10N10EL データシート (PDF) - Motorola, Inc

MTP10N10EL Datasheet PDF - Motorola, Inc


部品番号	MTP10N10EL

ダウンロード	MTP10N10EL ダウンロード

ファイルサイズ	221.37 Kbytes

ページ	8 Pages

メーカー	MOTOROLA [Motorola, Inc]

ホームページ	http://www.freescale.com

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部品情報	TMOS POWER FET 10 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.22 OHMS

MTP10N10EL Datasheet (PDF)

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部品番号	MTP10N10EL

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ページ	8 Pages

メーカー	MOTOROLA [Motorola, Inc]

ホームページ	http://www.freescale.com

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部品情報	TMOS POWER FET 10 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.22 OHMS

MTP10N10EL データシート (HTML) - Motorola, Inc

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MTP10N10EL 製品詳細

Logic Level TMOS E-FET™ Power Field Effect Transistor

N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate

This advanced TMOS power FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. This new energy efficient design also offers a drain–to–source diode with a fast recovery time. Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and PWM motor controls, these devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.

• Avalanche Energy Specified

• Source–to–Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode

• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits

• IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature

同様の部品番号 - MTP10N10EL

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
ON Semiconductor	MTP10N10EL	107Kb / 8P	Power MOSFET 10 A, 100 V, Logic Level, N?묬hannel TO??20 March, 2005 ??Rev. 4
ON Semiconductor	MTP10N10ELG	107Kb / 8P	Power MOSFET 10 A, 100 V, Logic Level, N?묬hannel TO??20 March, 2005 ??Rev. 4
VBsemi Electronics Co.,...	MTP10N10ELG	937Kb / 7P	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

同様の説明 - MTP10N10EL

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Motorola, Inc	MTD6P10E	261Kb / 10P	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.66 OHM
	MTD9N10E	257Kb / 10P	TMOS POWER FET 9.0 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.25 OHM
	MTP10N40E	249Kb / 8P	TMOS POWER FET 10 AMPERES 400 VOLTS RDS(on) = 0.55 OHMS
	MTP1N80E	221Kb / 8P	TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 800 VOLTS RDS(on) = 12 OHMS
	MTP2N60E	219Kb / 8P	TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 3.8 OHMS
	MTP3N50E	251Kb / 8P	TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 3.0 OHMS
	MTP3N60E	183Kb / 8P	TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 2.2 OHMS
	MTP6N60E	156Kb / 8P	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 1.2 OHMS
	MTP7N20E	223Kb / 8P	TMOS POWER FET 7.0 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.70 OHMS
	MTY100N10E	216Kb / 8P	TMOS POWER FET 100 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.011 OHM

Motorola, Inc について

Motorola、Inc。は、1928年に設立されたアメリカの多国籍電気通信会社でした。イリノイ州シャンバーグに本社を置き、携帯電話、通信機器、半導体の最大のプロバイダーの1つでした。その歴史を通じて、モトローラは、世界初の市販の携帯電話であるDynatac、および世界初の双方向のページャーであるThe PageBoyの開発など、通信の分野での革新で知られていました。

2011年、MotorolaはMotorola MobilityとMotorola Solutionsの2つの別個の企業に分かれました。 Motorola Mobilityは後に2012年にGoogleに買収され、現在はLenovoの子会社です。 Motorola Solutionsは、公安と商業および産業コミュニケーションソリューションに焦点を当てています。同社は、双方向ラジオ、モバイルコンピューティングデバイス、ネットワークインフラストラクチャ機器など、幅広い製品を提供しています。

Motorolaは携帯電話業界の先駆者の1人であり、革新と技術の進歩の豊かな歴史を持っています。同社の遺産は子会社を通じて継続され、その技術と製品は引き続き世界中で使用されています。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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