MTP9N25E データシート(PDF) - Motorola, Inc

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MTP9N25E データシート (PDF) - Motorola, Inc

MTP9N25E Datasheet PDF - Motorola, Inc


部品番号	MTP9N25E

ダウンロード	MTP9N25E ダウンロード

ファイルサイズ	206.33 Kbytes

ページ	8 Pages

メーカー	MOTOROLA [Motorola, Inc]

ホームページ	http://www.freescale.com

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部品情報	TMOS POWER FET 9.0 AMPERES 250 VOLTS RDS(on) = 0.45 OHM

MTP9N25E Datasheet (PDF)

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部品番号	MTP9N25E

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ページ	8 Pages

メーカー	MOTOROLA [Motorola, Inc]

ホームページ	http://www.freescale.com

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部品情報	TMOS POWER FET 9.0 AMPERES 250 VOLTS RDS(on) = 0.45 OHM

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MTP9N25E 製品詳細

TMOS E-FET Power Field Effect Transistor
N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate

This advanced TMOS E–FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The new energy efficient design also offers a drain–to–source diode with a fast recovery time. Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and PWM motor controls, these devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.

• Avalanche Energy Specified
• Source–to–Drain Diode Recovery Time Comparable to a
Discrete Fast Recovery Diode
• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
• IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature

同様の部品番号 - MTP9N25E

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
ON Semiconductor	MTP9N25E	213Kb / 7P	Power Field Effect Transistor August, 2006 ??Rev. 1

同様の説明 - MTP9N25E

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Motorola, Inc	MTB9N25E	258Kb / 10P	TMOS POWER FET 9.0 AMPERES 250 VOLTS
	MTD3N25E	253Kb / 10P	TMOS POWER FET 3 AMPERES 250 VOLTS RDS(on) = 1.4 OHM
	MTD5N25E	252Kb / 10P	TMOS POWER FET 5.0 AMPERES 250 VOLTS RDS(on) = 1.0 OHM
	MTD5P06E	208Kb / 10P	TMOS POWER FET 5.0 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.55 OHM
	MTD9N10E	257Kb / 10P	TMOS POWER FET 9.0 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.25 OHM
	MTP16N25E	222Kb / 8P	TMOS POWER FET 16 AMPERES 250 VOLTS RDS(on) = 0.25 OHM
	MTP1N100E	203Kb / 8P	TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 9.0 OHM
	MTP3N25E	208Kb / 8P	TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 250 VOLTS RDS(on) = 1.4 OHM
	MTW23N25E	152Kb / 8P	TMOS POWER FET 23 AMPERES 250 VOLTS RDS(on) = 0.11 OHM
	MTW32N25E	151Kb / 8P	TMOS POWER FET 32 AMPERES 250 VOLTS RDS(on) = 0.08 OHM

Motorola, Inc について

Motorola、Inc。は、1928年に設立されたアメリカの多国籍電気通信会社でした。イリノイ州シャンバーグに本社を置き、携帯電話、通信機器、半導体の最大のプロバイダーの1つでした。その歴史を通じて、モトローラは、世界初の市販の携帯電話であるDynatac、および世界初の双方向のページャーであるThe PageBoyの開発など、通信の分野での革新で知られていました。

2011年、MotorolaはMotorola MobilityとMotorola Solutionsの2つの別個の企業に分かれました。 Motorola Mobilityは後に2012年にGoogleに買収され、現在はLenovoの子会社です。 Motorola Solutionsは、公安と商業および産業コミュニケーションソリューションに焦点を当てています。同社は、双方向ラジオ、モバイルコンピューティングデバイス、ネットワークインフラストラクチャ機器など、幅広い製品を提供しています。

Motorolaは携帯電話業界の先駆者の1人であり、革新と技術の進歩の豊かな歴史を持っています。同社の遺産は子会社を通じて継続され、その技術と製品は引き続き世界中で使用されています。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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