MTY55N20E データシート(PDF) - Motorola, Inc

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MTY55N20E データシート (PDF) - Motorola, Inc

MTY55N20E Datasheet PDF - Motorola, Inc


部品番号	MTY55N20E

ダウンロード	MTY55N20E ダウンロード

ファイルサイズ	231.41 Kbytes

ページ	8 Pages

メーカー	MOTOROLA [Motorola, Inc]

ホームページ	http://www.freescale.com

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部品情報	TMOS POWER FET 55 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.028 OHM

MTY55N20E Datasheet (PDF)

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部品番号	MTY55N20E

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ページ	8 Pages

メーカー	MOTOROLA [Motorola, Inc]

ホームページ	http://www.freescale.com

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部品情報	TMOS POWER FET 55 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.028 OHM

MTY55N20E データシート (HTML) - Motorola, Inc

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MTY55N20E 製品詳細

TMOS E-FET Power Field Effect Transistor
N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate

This advanced TMOS power FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. This new energy efficient design also offers a drain–to–source diode with fast recovery time. Designed for high voltage, high speed switching applications in power supplies, converters, PWM motor controls, and other inductive loads. The avalanche energy capability is specified to eliminate the guesswork in designs where inductive loads are switched and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.

• Avalanche Energy Specified
• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
• IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature

同様の部品番号 - MTY55N20E

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
ON Semiconductor	MTY55N20E	197Kb / 8P	N?묬hannel Power MOSFET February, 2005 ??Rev. XXX

同様の説明 - MTY55N20E

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Motorola, Inc	MTD4N20E	268Kb / 10P	TMOS POWER FET 4.0 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 1.2 OHM
	MTD6N20E	269Kb / 10P	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.7 OHM
	MTE125N20E	228Kb / 8P	TMOS POWER FET 125 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.015 OHM
	MTP20N20E	203Kb / 8P	TMOS POWER FET 20 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.16 OHM
	MTP50N06EL	232Kb / 8P	TMOS POWER FET 50 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.028 OHM
	MTP50N06V	179Kb / 8P	TMOS POWER FET 42 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.028 OHM
	MTP55N06Z	143Kb / 6P	TMOS POWER FET 55 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 18 mohm
	MTP6P20E	216Kb / 8P	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 1.0 OHM
	MTV32N20E	264Kb / 10P	TMOS POWER FET 32 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.075 OHM
	MTW32N20E	205Kb / 8P	TMOS POWER FET 32 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.075 OHM

Motorola, Inc について

Motorola、Inc。は、1928年に設立されたアメリカの多国籍電気通信会社でした。イリノイ州シャンバーグに本社を置き、携帯電話、通信機器、半導体の最大のプロバイダーの1つでした。その歴史を通じて、モトローラは、世界初の市販の携帯電話であるDynatac、および世界初の双方向のページャーであるThe PageBoyの開発など、通信の分野での革新で知られていました。

2011年、MotorolaはMotorola MobilityとMotorola Solutionsの2つの別個の企業に分かれました。 Motorola Mobilityは後に2012年にGoogleに買収され、現在はLenovoの子会社です。 Motorola Solutionsは、公安と商業および産業コミュニケーションソリューションに焦点を当てています。同社は、双方向ラジオ、モバイルコンピューティングデバイス、ネットワークインフラストラクチャ機器など、幅広い製品を提供しています。

Motorolaは携帯電話業界の先駆者の1人であり、革新と技術の進歩の豊かな歴史を持っています。同社の遺産は子会社を通じて継続され、その技術と製品は引き続き世界中で使用されています。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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