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NX5313 データシート (PDF) - Renesas Technology Corp
NX5313 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
部品番号 NX5313
ダウンロード  NX5313 ダウンロード
ファイルサイズ   220.25 Kbytes
ページ   9 Pages
メーカー  RENESAS [Renesas Technology Corp]
ホームページ  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
部品情報 1 310 nm FOR FTTH PON APPLICATION InGaAsP MQW-FP LASER DIODE

NX5313 Datasheet (PDF)

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NX5313 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp

部品番号 NX5313
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ファイルサイズ   220.25 Kbytes
ページ   9 Pages
メーカー  RENESAS [Renesas Technology Corp]
ホームページ  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
部品情報 1 310 nm FOR FTTH PON APPLICATION InGaAsP MQW-FP LASER DIODE

NX5313 データシート (HTML) - Renesas Technology Corp


NX5313 製品詳細

DESCRIPTION
The NX5313 Series is a 1 310 nm Multiple Quantum Well (MQW) structured Fabry-Perot (FP) laser diode with InGaAs monitor PIN-PD. These devices are designed for application up to 1.25 Gb/s.

FEATURES
• Optical output power Po = 13.0 mW
• Low threshold current lth = 6 mA
• Differential Efficiency ηd = 0.5 W/A
• Wide operating temperature range TC = −40 to +85°C
• InGaAs monitor PIN-PD
• CAN package φ 5.6 mm
• Focal point 6.35 mm
• LD beam angle optimized for 8 degree angled SMF

APPLICATION
• FTTH PON (B-PON, G-PON, GE-PON 10 km) system




同様の部品番号 - NX5313

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
California Eastern Labs		 NX5313 CEL-NX5313 Datasheet
162Kb / 4P		 1310 nm InGaAsP MQW FP LASER DIODE IN CAN PACKAGE FOR FTTH PON APPLICATIONS
NX5313EH CEL-NX5313EH Datasheet
162Kb / 4P		 1310 nm InGaAsP MQW FP LASER DIODE IN CAN PACKAGE FOR FTTH PON APPLICATIONS
NX5313EK CEL-NX5313EK Datasheet
162Kb / 4P		 1310 nm InGaAsP MQW FP LASER DIODE IN CAN PACKAGE FOR FTTH PON APPLICATIONS
More results


同様の説明 - NX5313

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
California Eastern Labs		 NX5315EH CEL-NX5315EH_06 Datasheet
283Kb / 7P		 1 310 nm FOR FTTH PON APPLICATION InGaAsP MQW-FP LASER DIODE
logo
NEC		 NX5323EH NEC-NX5323EH Datasheet
89Kb / 7P		 1 310 nm FOR FTTH PON APPLICATION InGaAsP MQW-FP LASER DIODE
logo
Renesas Technology Corp		 NX6308GH RENESAS-NX6308GH Datasheet
221Kb / 9P		 1 310 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE FOR 1.25 Gb/s FTTH PON APPLICATION
NX6309GH RENESAS-NX6309GH Datasheet
221Kb / 9P		 1 310 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE FOR 1.25 Gb/s FTTH PON APPLICATION
logo
California Eastern Labs		 NX5522 CEL-NX5522 Datasheet
185Kb / 7P		 1 550 nm FOR FTTH InGaAsP MQW-FP LASER DIODE
NX5323EH CEL-NX5323EH Datasheet
173Kb / 7P		 1 310 nm FOR FTTH PON APPLICATION InGaAsP MQW-FP LASER DIODE
NX5317 CEL-NX5317 Datasheet
338Kb / 9P		 1 310 nm FOR FTTH PON APPLICATION InGaAsP MQW-FP LASER DIODE
logo
Renesas Technology Corp		 NX6308GH RENESAS-NX6308GH_15 Datasheet
221Kb / 9P		 1 310 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE FOR 1.25 Gb/s FTTH PON APPLICATION
NX6309GH RENESAS-NX6309GH_15 Datasheet
221Kb / 9P		 1 310 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE FOR 1.25 Gb/s FTTH PON APPLICATION
PL10692EJ03V0DS RENESAS-PL10692EJ03V0DS Datasheet
221Kb / 9P		 1 310 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE FOR 1.25 Gb/s FTTH PON APPLICATION
More results




Renesas Technology Corp について

Renesas Technology Corpは、自動車、産業、消費者市場のさまざまなアプリケーションに幅広いマイクロコントローラー、システムオンチップ、アナログおよび電源デバイスを提供する日本の半導体会社です。
同社は2010年にNEC Electronics CorporationとRenesas Technology Corporationの合併を通じて設立されました。
Renesasは、世界最大のマイクロコントローラーサプライヤーの1つであり、モノのインターネット（IoT）、人工知能（AI）、自動車エレクトロニクスなどの分野での高度な技術の開発に関する専門知識で知られています。
同社は20か国以上で事業を展開しており、その製品は幅広いアプリケーションで使用されています。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。




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