RFP12N10 データシート(PDF) - Intersil Corporation

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RFP12N10 データシート (PDF) - Intersil Corporation

RFP12N10 Datasheet PDF - Intersil Corporation


部品番号	RFP12N10

ダウンロード	RFP12N10 ダウンロード

ファイルサイズ	43.2 Kbytes

ページ	5 Pages

メーカー	INTERSIL [Intersil Corporation]

ホームページ	http://www.intersil.com/cda/home

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部品情報	12A, 80V and 100V, 0.200 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

RFP12N10 Datasheet (PDF)

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RFP12N10 Datasheet PDF - Intersil Corporation


部品番号	RFP12N10

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メーカー	INTERSIL [Intersil Corporation]

ホームページ	http://www.intersil.com/cda/home

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部品情報	12A, 80V and 100V, 0.200 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

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RFP12N10 製品詳細

These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. These types can be operated directly from integrated circuits.
Formerly developmental type TA09594.

Features
• 12A, 80V and 100V
• rDS(ON) = 0.200Ω
• Related Literature
- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards”

同様の部品番号 - RFP12N10

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
New Jersey Semi-Conduct...	RFP12N10	99Kb / 2P	12A, 80Vand 100V, 0.200 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
New Jersey Semi-Conduct...	RFP12N10	99Kb / 2P	12A, 80Vand 100V, 0.200 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
Inchange Semiconductor ...	RFP12N10	371Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
Fairchild Semiconductor	RFP12N10L	361Kb / 6P	12A, 100V, 0.200 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET
Intersil Corporation	RFP12N10L	38Kb / 5P	12A, 100V, 0.200 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET July 1999

同様の説明 - RFP12N10

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Intersil Corporation	FRS130D	48Kb / 6P	12A, 100V, 0.195 Ohm, Rad Hard, N-Channel Power MOSFETs June 1998
	RFL1N08	30Kb / 4P	1A, 80V and 100V, 1.200 Ohm, N-Channel, Power MOSFETs September 1998
	RFM18N08	38Kb / 5P	18A, 80V and 100V, 0.100 Ohm, N-Channel Power MOSFETs September 1998
	RFP12P08	37Kb / 5P	12A, 80V and 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs June 1999
	RFP2N08	46Kb / 4P	2A, 80V and 100V, 1.05 Ohm, N-Channel Power MOSFETs July 1998
	RFP6P08	310Kb / 5P	-6A, -80V and -100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power MOSFETs October 1999
Harris Corporation	RFP8P08	279Kb / 5P	-8A, -80V AND -100V, 0.400 Ohm, P-CHANNEL POWER MOSFETS
New Jersey Semi-Conduct...	RFP12N08	99Kb / 2P	12A, 80Vand 100V, 0.200 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
	RFP2N08	93Kb / 2P	2A, 80V and 100V, 1.05 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
	RFM12N08	99Kb / 2P	12A, 80Vand 100V, 0.200 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

Intersil Corporation について

Intersil Corporationは、高性能アナログと混合シグナル統合回路の設計と製造に特化したアメリカの半導体会社でした。
同社は1967年に設立され、電力管理、データ変換、無線頻度（RF）テクノロジーの専門知識で知られています。
Intersilの製品は、家電、産業、通信、航空宇宙と防衛などの幅広いアプリケーションで使用されていました。
2016年、Intersilは日本の半導体会社であるRenesas Electronics Corporationに買収されました。
Intersilのブランドとテクノロジーは、Renesasの製品ポートフォリオの一部として開発および販売され続けています。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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