IRF1310S データシート(PDF) - International Rectifier

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IRF1310S データシート (PDF) - International Rectifier

IRF1310S Datasheet PDF - International Rectifier


部品番号	IRF1310S

ダウンロード	IRF1310S ダウンロード

ファイルサイズ	361.9 Kbytes

ページ	8 Pages

メーカー	IRF [International Rectifier]

ホームページ	http://www.irf.com

Logo

部品情報	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.04ohm, Id=41A)

IRF1310S Datasheet (PDF)

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IRF1310S Datasheet PDF - International Rectifier


部品番号	IRF1310S

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ファイルサイズ	361.9 Kbytes

ページ	8 Pages

メーカー	IRF [International Rectifier]

ホームページ	http://www.irf.com

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部品情報	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.04ohm, Id=41A)

IRF1310S データシート (HTML) - International Rectifier

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IRF1310S 製品詳細

VDSS = 100V
RDS(on) = 0.04Ω
ID = 41A

Description
Fourth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.

● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Surface Mount
● Available in Tape & Reel
● Dynamic dv/dt Rating
● Repetitive Avalanche Rated
● 175°C Operating Temperature

同様の部品番号 - IRF1310S

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
International Rectifier	IRF1310N	96Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A)
Inchange Semiconductor ...	IRF1310N	338Kb / 2P	N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF1310NL	156Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A)
Kersemi Electronic Co.,...	IRF1310NL	1Mb / 10P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRF1310NL	300Kb / 2P	Isc N-Channel MOSFET Transistor

同様の説明 - IRF1310S

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
International Rectifier	IRC540	222Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=28A)
	IRF1310N	96Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A)
	IRF3515S	126Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.045ohm, Id=41A)
	IRF3710S	184Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)
	IRF520VS	129Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A)
	IRFB41N15D	193Kb / 11P	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.045ohm, Id=41A)
	IRFI1310G	361Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.04ohm, Id=22A)
	IRFIZ34N	105Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.04ohm, Id=21A)
	IRFP260N	122Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.04ohm, Id=50A)
	IRFRU5410	215Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.205ohm, Id=-13A)

International Rectifier について

International Rectifier（IR）は、電力管理と電力制御半導体の設計と製造に特化したアメリカの企業でした。
同社は1947年に設立され、カリフォルニア州エルセグンドに本社を置いていました。
IRは、Power Management ICS、Power MOSFET、IGBT、その他の電力制御製品など、幅広い製品を提供しました。
同社の製品は、コンピューティング、通信、産業用自動化などのさまざまなアプリケーションで使用されていました。
IRは、電力管理および制御技術の専門知識と、高品質で信頼できる製品を顧客に提供する能力で知られていました。
2014年、IRは、電力管理および制御製品およびその他の半導体ソリューションの大手プロバイダーであるInfineon Technologiesに買収されました。
International Rectifierブランドはもはや使用されていませんが、そのテクノロジーと製品は引き続きInfineonのポートフォリオの一部です。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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