IRF530N データシート(PDF) - International Rectifier

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IRF530N データシート (PDF) - International Rectifier

IRF530N Datasheet PDF - International Rectifier


部品番号	IRF530N

ダウンロード	IRF530N ダウンロード

ファイルサイズ	212.77 Kbytes

ページ	8 Pages

メーカー	IRF [International Rectifier]

ホームページ	http://www.irf.com

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部品情報	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=90mohm, Id=17A)

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部品番号	IRF530N

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メーカー	IRF [International Rectifier]

ホームページ	http://www.irf.com

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部品情報	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=90mohm, Id=17A)

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IRF530N 製品詳細

Description
Advanced HEXFET®Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.

● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated

同様の部品番号 - IRF530N

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
NXP Semiconductors	IRF530N	97Kb / 7P	N-channel TrenchMOS transistor August 1999 Rev 1.100
Intersil Corporation	IRF530N	125Kb / 10P	22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel Power MOSFET March 2000
Inchange Semiconductor ...	IRF530N	286Kb / 2P	N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF530NL	618Kb / 10P	HEXFET Power MOSFET
Kersemi Electronic Co.,...	IRF530NL	1Mb / 10P	Ultra Low On-Resistance

同様の説明 - IRF530N

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
International Rectifier	IRC540	222Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=28A)
	IRF1310N	96Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A)
	IRF3710S	184Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)
	IRF520VS	129Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A)
	IRFRU024N	178Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=17A??
	IRFRU5410	215Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.205ohm, Id=-13A)
	IRFZ24N	123Kb / 8P	Power MOSFET (Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A)
	IRFZ24NS	159Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A)
	IRFZ24V	200Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=60mohm, Id=17A)
	IRL530NSPBF	465Kb / 11P	HEXFET Power MOSFET ( VDSS=100V , RDS(on)=0.10廓 , ID=17A )

International Rectifier について

International Rectifier（IR）は、電力管理と電力制御半導体の設計と製造に特化したアメリカの企業でした。
同社は1947年に設立され、カリフォルニア州エルセグンドに本社を置いていました。
IRは、Power Management ICS、Power MOSFET、IGBT、その他の電力制御製品など、幅広い製品を提供しました。
同社の製品は、コンピューティング、通信、産業用自動化などのさまざまなアプリケーションで使用されていました。
IRは、電力管理および制御技術の専門知識と、高品質で信頼できる製品を顧客に提供する能力で知られていました。
2014年、IRは、電力管理および制御製品およびその他の半導体ソリューションの大手プロバイダーであるInfineon Technologiesに買収されました。
International Rectifierブランドはもはや使用されていませんが、そのテクノロジーと製品は引き続きInfineonのポートフォリオの一部です。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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