IRFR9210 データシート(PDF) - International Rectifier

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IRFR9210 データシート (PDF) - International Rectifier

IRFR9210 Datasheet PDF - International Rectifier


部品番号	IRFR9210

ダウンロード	IRFR9210 ダウンロード

ファイルサイズ	172.29 Kbytes

ページ	6 Pages

メーカー	IRF [International Rectifier]

ホームページ	http://www.irf.com

Logo

部品情報	Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-1.9A)

IRFR9210 Datasheet (PDF)

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IRFR9210 Datasheet PDF - International Rectifier


部品番号	IRFR9210

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ページ	6 Pages

メーカー	IRF [International Rectifier]

ホームページ	http://www.irf.com

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部品情報	Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-1.9A)

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IRFR9210 製品詳細

DESCRIPTION

The HEXFET technology is the key to International Rectifiers advanced line of Power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of the HEXFET design achieve very low on-state resistance combined with high transconductance and extreme device ruggedness.

The D-PAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU series) is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W are possible in typical surface mount applications.

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• Surface Mount (IRFR9210)

• Straight Lead (IRFU9210)

• Available in Tape and Reel

• P-Channel

• Fast Switching

同様の部品番号 - IRFR9210

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Vishay Siliconix	IRFR9210	1Mb / 8P	Power MOSFET 21-Jul-08
Kersemi Electronic Co.,...	IRFR9210	4Mb / 7P	Power MOSFET
	IRFR9210	4Mb / 7P	Power MOSFET
	IRFR9210	4Mb / 7P	Power MOSFET
	IRFR9210	4Mb / 7P	Power MOSFET

同様の説明 - IRFR9210

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
International Rectifier	IFRI820G	168Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.1A)
	IRF820S	172Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.5A)
	IRF9610	161Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-1.8A)
	IRF9610S	163Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-1.8A)
	IRFBE30	167Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=4.1A)
	IRFD9210	171Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-0.40A)
	IRFIBF30G	167Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=3.7ohm, Id=1.9A)
	IRFL014N	144Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.16ohm, Id=1.9A)
	IRFRU9214	107Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-250V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-2.7A)
	IRFR9210PBF	1Mb / 10P	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -200V , RDS(on) = 3.0廓 , ID = -1.9A )

International Rectifier について

International Rectifier（IR）は、電力管理と電力制御半導体の設計と製造に特化したアメリカの企業でした。
同社は1947年に設立され、カリフォルニア州エルセグンドに本社を置いていました。
IRは、Power Management ICS、Power MOSFET、IGBT、その他の電力制御製品など、幅広い製品を提供しました。
同社の製品は、コンピューティング、通信、産業用自動化などのさまざまなアプリケーションで使用されていました。
IRは、電力管理および制御技術の専門知識と、高品質で信頼できる製品を顧客に提供する能力で知られていました。
2014年、IRは、電力管理および制御製品およびその他の半導体ソリューションの大手プロバイダーであるInfineon Technologiesに買収されました。
International Rectifierブランドはもはや使用されていませんが、そのテクノロジーと製品は引き続きInfineonのポートフォリオの一部です。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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