IRFZ46N データシート(PDF) - International Rectifier

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IRFZ46N データシート (PDF) - International Rectifier

IRFZ46N Datasheet PDF - International Rectifier


部品番号	IRFZ46N

ダウンロード	IRFZ46N ダウンロード

ファイルサイズ	85.31 Kbytes

ページ	8 Pages

メーカー	IRF [International Rectifier]

ホームページ	http://www.irf.com

Logo

部品情報	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=16.5mohm, Id=53A)

IRFZ46N Datasheet (PDF)

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部品番号	IRFZ46N

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メーカー	IRF [International Rectifier]

ホームページ	http://www.irf.com

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部品情報	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=16.5mohm, Id=53A)

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IRFZ46N 製品詳細

Description
Advanced HEXFET®Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Advanced Process Technology
• Ultra Low On-Resistance
• Dynamic dv/dt Rating
• 175°C Operating Temperature
• Fast Switching
• Fully Avalanche Rated

同様の部品番号 - IRFZ46N

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
International Rectifier	IRFZ46N	190Kb / 9P	HEXFET짰 Power MOSFET(VDSS = 55V,RDS(on) = 16.5m廓,ID = 53A)
Inchange Semiconductor ...	IRFZ46N	338Kb / 2P	N-Channel MOSFET Transistor
List of Unclassifed Man...	IRFZ46N	2Mb / 31P	SEMICONDUCTORS
SYC Electronica	IRFZ46N	150Kb / 8P	Advanced Process Technology
International Rectifier	IRFZ46NL	263Kb / 10P	HEXFET POWER MOSFET

同様の説明 - IRFZ46N

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
International Rectifier	IRF3205	92Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A??
	IRF3205S	160Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A??
	IRF9Z34N	108Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A)
	IRF9Z34NS	162Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A)
	IRFBA1405P	238Kb / 9P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.0mohm, Id=174A??
	IRFP044N	105Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.020ohm, Id=53A)
	IRFR2605	345Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=19A)
	IRFZ24N	123Kb / 8P	Power MOSFET (Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A)
	IRFZ44VS	145Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=16.5mohm, Id=55A)
	IRFZ46N	190Kb / 9P	HEXFET짰 Power MOSFET(VDSS = 55V,RDS(on) = 16.5m廓,ID = 53A)

International Rectifier について

International Rectifier（IR）は、電力管理と電力制御半導体の設計と製造に特化したアメリカの企業でした。
同社は1947年に設立され、カリフォルニア州エルセグンドに本社を置いていました。
IRは、Power Management ICS、Power MOSFET、IGBT、その他の電力制御製品など、幅広い製品を提供しました。
同社の製品は、コンピューティング、通信、産業用自動化などのさまざまなアプリケーションで使用されていました。
IRは、電力管理および制御技術の専門知識と、高品質で信頼できる製品を顧客に提供する能力で知られていました。
2014年、IRは、電力管理および制御製品およびその他の半導体ソリューションの大手プロバイダーであるInfineon Technologiesに買収されました。
International Rectifierブランドはもはや使用されていませんが、そのテクノロジーと製品は引き続きInfineonのポートフォリオの一部です。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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