IRG4BC10S データシート(PDF) - International Rectifier

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IRG4BC10S データシート (PDF) - International Rectifier

IRG4BC10S Datasheet PDF - International Rectifier


部品番号	IRG4BC10S

ダウンロード	IRG4BC10S ダウンロード

ファイルサイズ	157.04 Kbytes

ページ	8 Pages

メーカー	IRF [International Rectifier]

ホームページ	http://www.irf.com

Logo

部品情報	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A)

IRG4BC10S Datasheet (PDF)

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IRG4BC10S Datasheet PDF - International Rectifier


部品番号	IRG4BC10S

ダウンロード	IRG4BC10S Click to download

ファイルサイズ	157.04 Kbytes

ページ	8 Pages

メーカー	IRF [International Rectifier]

ホームページ	http://www.irf.com

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部品情報	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A)

IRG4BC10S データシート (HTML) - International Rectifier

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IRG4BC10S 製品詳細

Features
• Extremely low voltage drop; 1.1V typical at 2A
• S-Speed: Minimizes power dissipation at up to 3 KHz PWM frequency in inverter drives, up to 4 KHz in brushless DC drives, up to 2KHz in Chopper Applications
• Very Tight Vce(on) distribution
• Industry standard TO-220AB package

Benefits
• Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available
• IGBTs optimized for specified application conditions
• Lower conduction losses than many Power MOSFET"s

同様の部品番号 - IRG4BC10S

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
International Rectifier	IRG4BC10SD	313Kb / 10P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
	IRG4BC10SD-L	217Kb / 12P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A)
	IRG4BC10SD-L	217Kb / 12P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
	IRG4BC10SD-LPBF	313Kb / 12P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
	IRG4BC10SD-S	217Kb / 12P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A)

同様の説明 - IRG4BC10S

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
International Rectifier	IRG4BC10SD-S	217Kb / 12P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A)
	IRG4BC20U	167Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A)
	IRG4BC30SS	152Kb / 9P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A)
	IRG4BC40S	157Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.32V, @Vge=15V, Ic=31A)
	IRG4BC40U	169Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.72V, @Vge=15V, Ic=20A)
	IRG4PC40U	148Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.1.72V, @Vge=15V, Ic=20A)
	IRG4PC50F	146Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.45V, @Vge=15V, Ic=39A)
	IRG4RC10S	120Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, IC=2.0A)
	IRG4RC10SD	189Kb / 10P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A)
	IRG4BC30SS	204Kb / 9P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A)

International Rectifier について

International Rectifier（IR）は、電力管理と電力制御半導体の設計と製造に特化したアメリカの企業でした。
同社は1947年に設立され、カリフォルニア州エルセグンドに本社を置いていました。
IRは、Power Management ICS、Power MOSFET、IGBT、その他の電力制御製品など、幅広い製品を提供しました。
同社の製品は、コンピューティング、通信、産業用自動化などのさまざまなアプリケーションで使用されていました。
IRは、電力管理および制御技術の専門知識と、高品質で信頼できる製品を顧客に提供する能力で知られていました。
2014年、IRは、電力管理および制御製品およびその他の半導体ソリューションの大手プロバイダーであるInfineon Technologiesに買収されました。
International Rectifierブランドはもはや使用されていませんが、そのテクノロジーと製品は引き続きInfineonのポートフォリオの一部です。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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