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IRG4BC20KD データシート (PDF) - International Rectifier
IRG4BC20KD Datasheet PDF - International Rectifier
部品番号 IRG4BC20KD
ダウンロード  IRG4BC20KD ダウンロード
ファイルサイズ   199.06 Kbytes
ページ   10 Pages
メーカー  IRF [International Rectifier]
ホームページ  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
部品情報 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

IRG4BC20KD Datasheet (PDF)

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IRG4BC20KD Datasheet PDF - International Rectifier

部品番号 IRG4BC20KD
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ファイルサイズ   199.06 Kbytes
ページ   10 Pages
メーカー  IRF [International Rectifier]
ホームページ  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
部品情報 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

IRG4BC20KD データシート (HTML) - International Rectifier


IRG4BC20KD 製品詳細

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE



Features

•Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kHz , and Short

Circuit Rated to 10µs @ 125°C, VGE= 15V

•Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than

previous generation

•IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in

bridge configurations

•Industry standard TO-220AB package



Benefits

•Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible

•HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and switching losses

•This part replaces the IRGBC20KD2 and IRGBC20MD2 products

•For hints see design tip 97003




同様の部品番号 - IRG4BC20KD

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
International Rectifier		 IRG4BC20KD-S IRF-IRG4BC20KD-S Datasheet
222Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
logo
Inchange Semiconductor ...		 IRG4BC20KD-S ISC-IRG4BC20KD-S Datasheet
523Kb / 3P		 IGBT
logo
International Rectifier		 IRG4BC20KD-SPBF IRF-IRG4BC20KD-SPBF Datasheet
364Kb / 11P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULRTAFAST SOFR RECOVERY DIODE
IRG4BC20KD-STRLP IRF-IRG4BC20KD-STRLP Datasheet
222Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC20KDPBF IRF-IRG4BC20KDPBF Datasheet
319Kb / 11P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
More results


同様の説明 - IRG4BC20KD

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
International Rectifier		 IRG4BC10UD IRF-IRG4BC10UD Datasheet
184Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4BC15UD-S IRF-IRG4BC15UD-S Datasheet
210Kb / 12P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.02V, @Vge=15V, Ic=7.8A)
IRG4BC20F IRF-IRG4BC20F Datasheet
161Kb / 8P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC20FD-S IRF-IRG4BC20FD-S Datasheet
222Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC20FD IRF-IRG4BC20FD Datasheet
222Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC20K IRF-IRG4BC20K Datasheet
138Kb / 8P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC20KDS IRF-IRG4BC20KDS Datasheet
222Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC20KS IRF-IRG4BC20KS Datasheet
162Kb / 8P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC20UDS IRF-IRG4BC20UDS Datasheet
235Kb / 11P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A)
IRG4BC30UD IRF-IRG4BC30UD Datasheet
234Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
More results




International Rectifier について

International Rectifier（IR）は、電力管理と電力制御半導体の設計と製造に特化したアメリカの企業でした。
同社は1947年に設立され、カリフォルニア州エルセグンドに本社を置いていました。
IRは、Power Management ICS、Power MOSFET、IGBT、その他の電力制御製品など、幅広い製品を提供しました。
同社の製品は、コンピューティング、通信、産業用自動化などのさまざまなアプリケーションで使用されていました。
IRは、電力管理および制御技術の専門知識と、高品質で信頼できる製品を顧客に提供する能力で知られていました。
2014年、IRは、電力管理および制御製品およびその他の半導体ソリューションの大手プロバイダーであるInfineon Technologiesに買収されました。
International Rectifierブランドはもはや使用されていませんが、そのテクノロジーと製品は引き続きInfineonのポートフォリオの一部です。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。




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