IRG4PC40KD データシート(PDF) - International Rectifier

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IRG4PC40KD データシート (PDF) - International Rectifier

IRG4PC40KD Datasheet PDF - International Rectifier


部品番号	IRG4PC40KD

ダウンロード	IRG4PC40KD ダウンロード

ファイルサイズ	182.17 Kbytes

ページ	10 Pages

メーカー	IRF [International Rectifier]

ホームページ	http://www.irf.com

Logo

部品情報	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.1V, @Vge=15V, Ic=25A)

IRG4PC40KD Datasheet (PDF)

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部品番号	IRG4PC40KD

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ページ	10 Pages

メーカー	IRF [International Rectifier]

ホームページ	http://www.irf.com

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部品情報	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.1V, @Vge=15V, Ic=25A)

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IRG4PC40KD 製品詳細

Short Circuit Rated UltraFast IGBT

Features
• Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit Rated to 10µs @ 125°C, VGE = 15V
• Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations
• Industry standard TO-247AC package

Benefits
• Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies available
• HEXFRED diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics require less/no snubbing
• Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs

同様の部品番号 - IRG4PC40KD

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
International Rectifier	IRG4PC40KD	98Kb / 35P	Fit Rate / Equivalent Device Hours
	IRG4PC40KDPBF	325Kb / 11P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
	IRG4PC40KDPBF	326Kb / 11P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
	IRG4PC40KDPBF	326Kb / 11P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

同様の説明 - IRG4PC40KD

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
International Rectifier	IRG4BC10SD-S	217Kb / 12P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A)
	IRG4BC10UD	184Kb / 10P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
	IRG4BC15MD	256Kb / 10P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.88V, @Vge=15V, Ic=8.6A)
	IRG4BC15UD-S	210Kb / 12P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.02V, @Vge=15V, Ic=7.8A)
	IRG4BC20FD-S	222Kb / 10P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
	IRG4BC20UDS	235Kb / 11P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A)
	IRG4BC30UD	234Kb / 10P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
	IRG4BC40K	156Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.1V, @Vge=15V, Ic=25A)
	IRG4PC30KD	178Kb / 10P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
	IRG4PC40K	119Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.1V, @Vge=15V, Ic=25A)

International Rectifier について

International Rectifier（IR）は、電力管理と電力制御半導体の設計と製造に特化したアメリカの企業でした。
同社は1947年に設立され、カリフォルニア州エルセグンドに本社を置いていました。
IRは、Power Management ICS、Power MOSFET、IGBT、その他の電力制御製品など、幅広い製品を提供しました。
同社の製品は、コンピューティング、通信、産業用自動化などのさまざまなアプリケーションで使用されていました。
IRは、電力管理および制御技術の専門知識と、高品質で信頼できる製品を顧客に提供する能力で知られていました。
2014年、IRは、電力管理および制御製品およびその他の半導体ソリューションの大手プロバイダーであるInfineon Technologiesに買収されました。
International Rectifierブランドはもはや使用されていませんが、そのテクノロジーと製品は引き続きInfineonのポートフォリオの一部です。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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