IRGPH20 データシート(PDF) - International Rectifier

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IRGPH20 データシート (PDF) - International Rectifier

IRGPH20 Datasheet PDF - International Rectifier


部品番号	IRGPH20

ダウンロード	IRGPH20 ダウンロード

ファイルサイズ	240.26 Kbytes

ページ	6 Pages

メーカー	IRF [International Rectifier]

ホームページ	http://www.irf.com

Logo

部品情報	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=6.6A)

IRGPH20 Datasheet (PDF)

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IRGPH20 Datasheet PDF - International Rectifier


部品番号	IRGPH20

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ページ	6 Pages

メーカー	IRF [International Rectifier]

ホームページ	http://www.irf.com

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部品情報	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=6.6A)

IRGPH20 データシート (HTML) - International Rectifier

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IRGPH20 製品詳細

Description
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. They provide substantial benefits to a host of high-voltage, high-current applications.

Features
• Switching-loss rating includes all "tail" losses
• Optimized for line frequency operation (to 400Hz) See Fig. 1 for Current vs. Frequency curve

同様の部品番号 - IRGPH20

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
International Rectifier	IRGPH20	240Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=4.5A)
	IRGPH20M	240Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=4.5A)
	IRGPH20M	98Kb / 35P	Fit Rate / Equivalent Device Hours
	IRGPH20S	98Kb / 35P	Fit Rate / Equivalent Device Hours

同様の説明 - IRGPH20

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
International Rectifier	IRGB440U	252Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=22A)
	IRGBC20S	274Kb / 7P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=10A)
	IRGPH20M	240Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=4.5A)
	IRGPH30S	82Kb / 2P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=13A)
	IRGPH40F	255Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=17A)
	IRGPH40M	84Kb / 2P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=18A)
	IRGPH40S	82Kb / 2P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=20A)
	IRGPH50F	267Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=25A)
	IRGPH50M	255Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=23A)
	IRGPH50S	96Kb / 2P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=33A)

International Rectifier について

International Rectifier（IR）は、電力管理と電力制御半導体の設計と製造に特化したアメリカの企業でした。
同社は1947年に設立され、カリフォルニア州エルセグンドに本社を置いていました。
IRは、Power Management ICS、Power MOSFET、IGBT、その他の電力制御製品など、幅広い製品を提供しました。
同社の製品は、コンピューティング、通信、産業用自動化などのさまざまなアプリケーションで使用されていました。
IRは、電力管理および制御技術の専門知識と、高品質で信頼できる製品を顧客に提供する能力で知られていました。
2014年、IRは、電力管理および制御製品およびその他の半導体ソリューションの大手プロバイダーであるInfineon Technologiesに買収されました。
International Rectifierブランドはもはや使用されていませんが、そのテクノロジーと製品は引き続きInfineonのポートフォリオの一部です。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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