VF30100S データシート(PDF) - Vishay Siliconix

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VF30100S データシート (PDF) - Vishay Siliconix

VF30100S Datasheet PDF - Vishay Siliconix


部品番号	VF30100S

ダウンロード	VF30100S ダウンロード

ファイルサイズ	149.13 Kbytes

ページ	5 Pages

メーカー	VISHAY [Vishay Siliconix]

ホームページ	http://www.vishay.com

Logo

部品情報	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A

VF30100S Datasheet (PDF)

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部品番号	VF30100S

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ページ	5 Pages

メーカー	VISHAY [Vishay Siliconix]

ホームページ	http://www.vishay.com

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部品情報	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A

VF30100S データシート (HTML) - Vishay Siliconix

VF30100S 製品詳細

• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
• AEC-Q101 qualified

同様の部品番号 - VF30100S

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Vishay Siliconix	VF30100S	168Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A 31-Jul-08
	VF30100S	149Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 23-Oct-09
	VF30100S	149Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 23-Oct-09
	VF30100S	139Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 23-Oct-09
	VF30100S-E3	156Kb / 6P	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 14-Dec-16

同様の説明 - VF30100S

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Vishay Siliconix	V10150S	166Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A 19-May-08
	V30100S	168Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A 31-Jul-08
	V30120S	165Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A 19-May-08
	VB30100S-M3	88Kb / 4P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A 15-May-13
	VBT3080S-M3	88Kb / 4P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A 14-May-13
	VFT3080S-M3	89Kb / 4P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A 11-Sep-13
	VT1060C-E3	156Kb / 6P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 2.5 A 14-Dec-16
	VT1060C-M3	133Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 2.5 A 15-Dec-16
	VT3080S-E3	157Kb / 6P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A 14-Dec-16
	VBT1060C-M3	89Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 2.5 A 14-May-13

Vishay Siliconix について

Vishay Siliconixは、パッシブ電子コンポーネントのグローバルメーカーであるVishay Intertechnologyの子会社です。
Vishay Siliconixは、パワーMOSFET、IGBT、およびその他のパワー半導体の設計、製造、およびマーケティングを専門としています。
同社は1962年に設立され、カリフォルニア州サンタクララに本社を置いています。
Vishay Siliconixは、再生可能エネルギーシステム、産業機器、コンピューティングと通信、自動車電子機器など、さまざまなアプリケーション向けの電源ソリューションを提供しています。
同社の製品は、高効率、低消費電力、高い信頼性のために設計されており、高度な製造プロセスを使用して最先端の施設で製造されています。
イノベーションと顧客満足度に焦点を当てたVishay Siliconixは、ニーズを満たすために顧客に最良の電力管理ソリューションを提供することに取り組んでいます。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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