F2N60 データシート(PDF) - Unisonic Technologies

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F2N60 データシート (PDF) - Unisonic Technologies

F2N60 Datasheet PDF - Unisonic Technologies


部品番号	F2N60

ダウンロード	F2N60 ダウンロード

ファイルサイズ	229.1 Kbytes

ページ	6 Pages

メーカー	UTC [Unisonic Technologies]

ホームページ	http://www.utc-ic.com

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部品情報	N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

F2N60 Datasheet (PDF)

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F2N60 Datasheet PDF - Unisonic Technologies


部品番号	F2N60

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メーカー	UTC [Unisonic Technologies]

ホームページ	http://www.utc-ic.com

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部品情報	N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

F2N60 データシート (HTML) - Unisonic Technologies

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F2N60 製品詳細

DESCRIPTION
The UTC F2N60 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power supplies, PWM motor controls, high efficient DC to DC converters and bridge circuits.

FEATURES
* RDS(ON) = 5Ω@VGS = 10V
* Ultra Low gate charge (typical 16nC)
* Fast switching capability
* Avalanche energy specified
* Improved dv/dt capability, high ruggedness

同様の部品番号 - F2N60

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Jiangsu Donghai Semicon...	F2N60	1Mb / 13P	2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
	F2N60	1Mb / 13P	2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
	F2N60	1Mb / 13P	2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
	F2N60	1Mb / 13P	2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
	F2N60	1Mb / 13P	2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

同様の説明 - F2N60

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Microsemi Corporation	PPNGZ52F120A	102Kb / 3P	N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Advanced Power Electron...	AP25G45GEM	69Kb / 3P	N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Silicon Standard Corp.	SSM20G45EGH	763Kb / 7P	N-channel Insulated-Gate Bipolar Transistor
Silicon Standard Corp.	SSM28G45EM	263Kb / 4P	N-CHANNEL INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Unisonic Technologies	UG25N45	184Kb / 3P	N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Advanced Power Electron...	AP20GT60P-HF	65Kb / 3P	N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
	AP30G40GEO-HF	60Kb / 3P	N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
	AP40G120W	99Kb / 3P	N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Unisonic Technologies	1N50A	194Kb / 5P	N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Unisonic Technologies	30N06V-Q	205Kb / 6P	N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Unisonic Technologies について

Unisonic Technologiesは、電力管理とアナログ統合回路（IC）の設計、製造、販売を専門とする台湾半導体会社です。同社は1980年に設立され、アジア、ヨーロッパ、アメリカにオフィスや施設がある世界的な存在感を抱いています。

Unisonic Technologiesは、電力管理ICS、線形電圧調節因子、モーター制御ICを含む幅広い製品とソリューションを提供します。同社の製品は、家電、自動車、産業、通信など、さまざまなアプリケーションで使用されています。 Unisionic Technologiesは、電力管理技術の専門知識と、顧客に高性能で費用対効果の高いソリューションを提供する能力で知られています。

近年、Unisonic Technologiesは製品ポートフォリオと製品を拡大し、モノのインターネット（IoT）およびスマートエネルギー市場のソリューションを含めるようにしています。同社はイノベーションと研究開発に取り組んでおり、半導体業界向けの新しいテクノロジーとソリューションの開発に積極的に関与しています。 Unisonic Technologiesは、電力管理およびアナログICS市場のリーダーであり、顧客に高品質の製品とサービスを提供し続けています。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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