MX043J データシート(PDF) - Microsemi Corporation

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MX043J データシート (PDF) - Microsemi Corporation

MX043J Datasheet PDF - Microsemi Corporation


部品番号	MX043J

ダウンロード	MX043J ダウンロード

ファイルサイズ	183.1 Kbytes

ページ	4 Pages

メーカー	MICROSEMI [Microsemi Corporation]

ホームページ	http://www.microsemi.com

Logo

部品情報	RADIATION HARDENED SEGR-RESISTANT N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

MX043J Datasheet (PDF)

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MX043J Datasheet PDF - Microsemi Corporation


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メーカー	MICROSEMI [Microsemi Corporation]

ホームページ	http://www.microsemi.com

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部品情報	RADIATION HARDENED SEGR-RESISTANT N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

MX043J データシート (HTML) - Microsemi Corporation

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MX043J 製品詳細

Features
• Harris FSC260R die
• total dose: 100 kRAD(Si) within pre-radiation parameter limits
• dose rate: 3 x 109RAD(Si)/sec @ 80%BVDSS typical
• dose rate: 2 x 1012RAD(Si)/sec @ ID £IDM typical
• neutron: 1013 neutrons/cm2 within pre-radiation parameter limits
• photocurrent: 17 nA/RAD(Si)/sec typical
• rated Safe Operating Area Curve for Single event Effects
• rugged polysilicon gate cell structure with ultrafast body diode
• low inductance surface mount power package available with “J-leads” (MX043J) or “gullwing-leads” (MX043G)
• very low thermal resistance
• reverse polarity available upon request add suffix “R”st

同様の部品番号 - MX043J

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Microsemi Corporation	MX040-20	38Kb / 2P	ELP EXTRA LOW PROFILE STANDARD RECTIFIER

同様の説明 - MX043J

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Intersil Corporation	FSGS230R	78Kb / 8P	Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFET June 2000
	FSGYC260R	82Kb / 8P	Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFET May 2000
	FSGYE230R	81Kb / 8P	Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFET May 2000
	FSJ163D	56Kb / 8P	Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs June 1999
	FSL214D	57Kb / 8P	Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs October 1998
	FSPL230R	81Kb / 8P	Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs June 2000
	FSPYE230R	83Kb / 8P	Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs May 2000
	FSYA450D	56Kb / 8P	Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs March 1999
	FSYC055D	49Kb / 8P	Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs July 1998
	FSYE430D	58Kb / 8P	Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs June 1999

Microsemi Corporation について

Microsemi Corporationは、半導体およびシステムソリューションの設計と製造に特化したアメリカの会社でした。
同社は1960年に設立され、カリフォルニア州アリソビエホに本社を置いていました。
Microsemiは、アナログおよび混合シグナル統合回路、フィールドプログラム可能なゲートアレイ（FPGA）、電力管理および制御製品、およびその他の半導体溶液など、幅広い製品を提供しました。
同社の製品は、防衛とセキュリティ、航空宇宙と航空、産業、通信などのさまざまなアプリケーションで使用されていました。
Microsemiは、半導体テクノロジーの専門知識と、高品質で信頼できる製品を顧客に提供する能力で知られていました。
2018年、Microsemiは、マイクロコントローラー、混合シグナル、アナログ、およびセキュリティ製品の大手プロバイダーであるMicrochip Technologyに買収されました。
Microsemiブランドはもはや使用されていませんが、そのテクノロジーと製品はMicrochipのポートフォリオの一部であり続けています。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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