IRF530 データシート(PDF) - ON Semiconductor

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IRF530 データシート (PDF) - ON Semiconductor

IRF530 Datasheet PDF - ON Semiconductor


部品番号	IRF530

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ファイルサイズ	192.7 Kbytes

ページ	7 Pages

メーカー	ONSEMI [ON Semiconductor]

ホームページ	http://www.onsemi.com

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部品情報	N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate

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IRF530 Datasheet PDF - ON Semiconductor


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メーカー	ONSEMI [ON Semiconductor]

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IRF530 製品詳細

TMOS E−FET.™ Power Field Effect Transistor
N−Channel Enhancement−Mode Silicon Gate

This advanced TMOS power FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. This new energy efficient design also offers a drain−to−source diode with a fast recovery time. Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters, and PWM motor controls. These devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating area are critical and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.

• Avalanche Energy Specified
• Source−to−Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode
• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
• IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature

同様の部品番号 - IRF530

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Motorola, Inc	IRF530	157Kb / 2P	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
STMicroelectronics	IRF530	47Kb / 3P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR Jun-1988
Transys Electronics	IRF530	481Kb / 5P	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE
Samsung semiconductor	IRF530	354Kb / 6P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
Fairchild Semiconductor	IRF530	180Kb / 6P	N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V

同様の説明 - IRF530

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
ON Semiconductor	MTD6N15T4G	125Kb / 6P	N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate May, 2013 ??Rev. 5
	NTP30N20G	164Kb / 7P	N?묬hannel Enhancement?묺ode TO??20 March, 2006 ??Rev. 5
	NTB35N15T4G	86Kb / 8P	N?묬hannel Enhancement?묺ode D2PAK August, 2005 ??Rev. 5
	NTB13N10T4G	83Kb / 8P	100 V, 13 A, N?묬hannel Enhancement?묺ode D2PAK August, 2005 ??Rev. 6
	MTP10N40E	234Kb / 8P	N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate August, 2006 ??Rev. 1
	MTP2N40E	213Kb / 7P	N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate August, 2006 ??Rev. 1
	MTP3N50E	236Kb / 8P	N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate August, 2006 ??Rev. 2
	NTMS4P01R2	232Kb / 8P	P?묬hannel Enhancement?묺ode Power MOSFET August, 2006 ??Rev. 1
	NTLTD7900N	82Kb / 6P	N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate October, 2005 ??Rev. 1
	NTP22N06	200Kb / 7P	N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate August, 2006 ??Rev. 2

ON Semiconductor について

「ON Semiconductorは、自動車、コンピューティング、消費財、産業、通信市場など、さまざまなアプリケーション向けに幅広い半導体製品を設計、開発、製造する公開企業です。
同社は1999年に設立され、アリゾナ州フェニックスに本社を置いています。
Semiconductorは、電源MOSFET、ダイオード、整流器、電圧レギュレーターなど、電力管理、アナログ、離散半導体の幅広いポートフォリオを提供します。
同社の製品は、エネルギー効率が高く、信頼性が高く、費用対効果が高いように設計されており、ポータブルエレクトロニクス、産業自動化システム、再生可能エネルギーシステム、自動車用エレクトロニクスなど、さまざまなアプリケーションで使用されています。
Semiconductorは、イノベーションと顧客満足度に取り組んでおり、お客様のニーズを満たすために最高の半導体ソリューションを提供することに取り組んでいます。」

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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