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PTFB201402FC データシート (PDF) - Infineon Technologies AG
PTFB201402FC Datasheet PDF - Infineon Technologies AG
部品番号 PTFB201402FC
ダウンロード  PTFB201402FC ダウンロード
ファイルサイズ   841.14 Kbytes
ページ   14 Pages
メーカー  INFINEON [Infineon Technologies AG]
ホームページ  http://www.infineon.com
Logo INFINEON - Infineon Technologies AG
部品情報 High Power RF LDMOS Field Effect Transistor

PTFB201402FC Datasheet (PDF)

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PTFB201402FC Datasheet PDF - Infineon Technologies AG

部品番号 PTFB201402FC
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ページ   14 Pages
メーカー  INFINEON [Infineon Technologies AG]
ホームページ  http://www.infineon.com
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部品情報 High Power RF LDMOS Field Effect Transistor

PTFB201402FC データシート (HTML) - Infineon Technologies AG


PTFB201402FC 製品詳細

Description
The PTFB201402FC integrates two 70 W LDMOS FETs into one open-cavity ceramic package. It is designed primarily for Doherty cellular amplifier applications in the 2010 to 2025 MHz frequency band. Manufactured with Infineon’s advanced LDMOS process, this device offers excellent thermal performance and superior reliability.

Features
• Broadband internal matching
• Typical CW performance, 28 V, single side
   - Output power, P1dB = 70 W
   - Efficiency = 56%
• Integrated ESD protection
• Excellent thermal stability
• Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V, 70 W
   (CW) output power, per side
• Pb-free and RoHS-compliant




同様の部品番号 - PTFB201402FC

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
Cree, Inc		 PTFB201402FC CREE-PTFB201402FC Datasheet
595Kb / 14P		 High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 140 W, 28 V, 2010 - 2025 MHz
More results


同様の説明 - PTFB201402FC

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
Infineon Technologies A...		 PTF080101 INFINEON-PTF080101 Datasheet
64Kb / 4P		 LDMOS RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR 10W, 860-960MHZ
2004-03-08
PTFC270101M INFINEON-PTFC270101M_15 Datasheet
409Kb / 21P		 High Power RF LDMOS Field Effect Transistor
Rev. 04, 2015-04-01
PXAC243502FV INFINEON-PXAC243502FV_15 Datasheet
1Mb / 10P		 High Power RF LDMOS Field Effect Transistor
Rev. 03.1, 2015-04-13
PTFB183408SV INFINEON-PTFB183408SV Datasheet
248Kb / 15P		 High Power RF LDMOS Field Effect Transistor
Rev. 03, 2014-03-07
logo
Renesas Technology Corp		 NEM090303M-28 RENESAS-NEM090303M-28 Datasheet
295Kb / 12P		 LDMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2003
NEM090603M-28 RENESAS-NEM090603M-28 Datasheet
302Kb / 11P		 LDMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2006
NEM090853P-28 RENESAS-NEM090853P-28 Datasheet
283Kb / 10P		 LDMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2004
NEM091203P-28 RENESAS-NEM091203P-28 Datasheet
310Kb / 13P		 LDMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2005
NEM091603P-28 RENESAS-NEM091603P-28 Datasheet
306Kb / 11P		 LDMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2008
NEM091803S-28 RENESAS-NEM091803S-28 Datasheet
271Kb / 9P		 LDMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2004
More results




Infineon Technologies AG について

Infineon Technologiesは、自動車、産業、通信システムなど、さまざまな業界に電力管理、セキュリティ、および制御ソリューションを提供することを専門とするグローバルな半導体メーカーです。
同社は1999年に設立され、ドイツのノイビバーグに本社を置いています。
Infineonは、マイクロコントローラー、パワー半導体、センサー、その他の統合回路を含む幅広い製品を提供しています。
同社は世界市場で強い存在感を抱いており、世界中のさまざまな国の運営と施設があります。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。




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