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TPC8102 データシート (PDF) - Toshiba Semiconductor

TPC8102 Datasheet PDF - Toshiba Semiconductor
部品番号 TPC8102
ダウンロード  TPC8102 ダウンロード

ファイルサイズ   471.76 Kbytes
ページ   7 Pages
メーカー  TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
ホームページ  http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng
Logo TOSHIBA - Toshiba Semiconductor
部品情報 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (MOSVI)

TPC8102 Datasheet (PDF)

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TPC8102 Datasheet PDF - Toshiba Semiconductor

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メーカー  TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
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部品情報 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (MOSVI)

TPC8102 データシート (HTML) - Toshiba Semiconductor

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TPC8102 製品詳細

Lithium Ion Battery Applications
Notebook PCs
Portable Equipment Applications

● Small footprint due to small and thin package
● Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 34 mΩ (typ.)
● High forward transfer admittance : |Yfs| = 9 S (typ.)
● Low leakage current : IDSS = −10 µA (max) (VDS = −30 V)
● Enhancement−mode : Vth = −0.8~ −2.0 V (VDS = −10 V, ID = −1 mA)




同様の部品番号 - TPC8102

メーカー部品番号データシート部品情報
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Fujitsu Component Limit...
TPC8102 FUJITSU-TPC8102 Datasheet
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