VT1060CHM3 データシート(PDF) - Vishay Siliconix

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VT1060CHM3 データシート (PDF) - Vishay Siliconix

VT1060CHM3 Datasheet PDF - Vishay Siliconix


部品番号	VT1060CHM3

ダウンロード	VT1060CHM3 ダウンロード

ファイルサイズ	133.87 Kbytes

ページ	5 Pages

メーカー	VISHAY [Vishay Siliconix]

ホームページ	http://www.vishay.com

Logo

部品情報	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 2.5 A

VT1060CHM3 Datasheet (PDF)

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部品番号	VT1060CHM3

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メーカー	VISHAY [Vishay Siliconix]

ホームページ	http://www.vishay.com

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部品情報	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 2.5 A

VT1060CHM3 データシート (HTML) - Vishay Siliconix

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VT1060CHM3 製品詳細

FEATURES
• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
• AEC-Q101 qualified
• Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912

TYPCIAL APPLICATIONS
For use in high frequency DC/DC converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and reverse battery protection.

同様の部品番号 - VT1060CHM3

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Vishay Siliconix	VT1060CHM3-4W	130Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 23-Mar-11

同様の説明 - VT1060CHM3

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Vishay Siliconix	V30100S	168Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A 31-Jul-08
	VB30100S-M3	88Kb / 4P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A 15-May-13
	VBT3080S-M3	88Kb / 4P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A 14-May-13
	VFT3080S-M3	89Kb / 4P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A 11-Sep-13
	VT1060C-E3	156Kb / 6P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 2.5 A 14-Dec-16
	VT3080S-E3	157Kb / 6P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A 14-Dec-16
	VB10170C-E3	93Kb / 4P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 2.5 A 03-Jan-17
	VBT1045C-E3	90Kb / 4P	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 2.5 A 09-Sep-13
	VBT1060C-M3	89Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 2.5 A 14-May-13
	VE1045C-E3	133Kb / 4P	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.37 V at IF = 2.5 A 20-Dec-13

Vishay Siliconix について

Vishay Siliconixは、パッシブ電子コンポーネントのグローバルメーカーであるVishay Intertechnologyの子会社です。
Vishay Siliconixは、パワーMOSFET、IGBT、およびその他のパワー半導体の設計、製造、およびマーケティングを専門としています。
同社は1962年に設立され、カリフォルニア州サンタクララに本社を置いています。
Vishay Siliconixは、再生可能エネルギーシステム、産業機器、コンピューティングと通信、自動車電子機器など、さまざまなアプリケーション向けの電源ソリューションを提供しています。
同社の製品は、高効率、低消費電力、高い信頼性のために設計されており、高度な製造プロセスを使用して最先端の施設で製造されています。
イノベーションと顧客満足度に焦点を当てたVishay Siliconixは、ニーズを満たすために顧客に最良の電力管理ソリューションを提供することに取り組んでいます。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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