ADG636 データシート(PDF) - Analog Devices

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ADG636 データシート (PDF) - Analog Devices

ADG636 Datasheet PDF - Analog Devices


部品番号	ADG636

ダウンロード	ADG636 ダウンロード

ファイルサイズ	147.68 Kbytes

ページ	12 Pages

メーカー	AD [Analog Devices]

ホームページ	http://www.analog.com

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部品情報	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage CMOS 5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch

ADG636 Datasheet (PDF)

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ADG636 Datasheet PDF - Analog Devices


部品番号	ADG636

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ファイルサイズ	147.68 Kbytes

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メーカー	AD [Analog Devices]

ホームページ	http://www.analog.com

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部品情報	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage CMOS 5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch

ADG636 データシート (HTML) - Analog Devices

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ADG636 製品詳細

GENERAL DESCRIPTION
The ADG636 is a monolithic device, comprising two independently selectable CMOS single pole, double throw (SPDT)
switches. When on, each switch conducts equally well in both
directions.
The ADG636 operates from a dual ±2.7 V to ±5.5 V supply, or from a single supply of +2.7 V to +5.5 V.

FEATURES
   1 pC charge injection
   ±2.7 V to ±5.5 V dual supply
   +2.7 V to +5.5 V single supply
   Automotive temperature range: −40°C to +125°C
   100 pA (maximum at 25°C) leakage currents
   85 Ω typical on resistance
   Rail-to-rail operation
   Fast switching times
   Typical power consumption (<0.1 μW)
   TTL-/CMOS-compatible inputs
   14-lead TSSOP package

APPLICATIONS
   Automatic test equipment
   Data acquisition systems
   Battery-powered instruments
   Communication systems
   Sample-and-hold systems
   Remote-powered equipment
   Audio and video signal routing
   Relay replacement
   Avionics

同様の部品番号 - ADG636

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Analog Devices	ADG636	498Kb / 16P	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage REV. B
	ADG636YRU	498Kb / 16P	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, 짹5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch REV. B
	ADG636YRU-REEL	498Kb / 16P	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, 짹5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch REV. B
	ADG636YRUZ-REEL1	498Kb / 16P	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, 짹5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch REV. B
	ADG636YRUZ-REEL71	498Kb / 16P	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, 짹5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch REV. B

同様の説明 - ADG636

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Analog Devices	ADG611	152Kb / 12P	1 pC Chanrge Injection, 100 pA Leakage, CMOS -5 V/5 V/3 V Quad SPST Switches REV.0
Analog Devices	ADG604	155Kb / 12P	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage CMOS 짹5 V/5 V/3 V 4-Channel Multiplexer REV. 0
Vishay Siliconix	DG636	190Kb / 10P	0.5 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Dual SPDT Analog Switch 04-Feb-08
Vishay Siliconix	DG636	192Kb / 13P	0.5 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Dual SPDT Analog Switch 02-Aug-10
Analog Devices	ADG611	361Kb / 16P	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, 짹5 V/5 V/3 V, Quad SPST Switches REV. A
	ADG604YRUZ	162Kb / 12P	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage CMOS 5,-5 V/5 V/3 V 4-Channel Multiplexer REV. 0
	ADG636YRU-REEL	498Kb / 16P	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, 짹5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch REV. B
Vishay Siliconix	DG9232E	276Kb / 12P	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, 5 V / 3 V, Dual SPST Analog Switches 25-Jul-16
	DG9234E	277Kb / 12P	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, 5 V / 3 V, Dual SPST Analog Switches 25-Jul-16
	DG636	240Kb / 15P	0.5 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Dual SPDT Analog Switch 08-Dec-14

Analog Devices について

Analog Devices、Inc。（ADI）は、高性能アナログ、混合シグナル、およびデジタル信号処理（DSP）統合回路（ICS）を設計、開発、製造する公開企業です。
同社は1965年に設立され、マサチューセッツ州ノーウッドに本社を置いています。
ADIは、航空宇宙と防衛、自動車、通信、消費者、産業、医療、テストと測定など、幅広い産業にサービスを提供しています。
同社の製品ポートフォリオには、データコンバーター、アンプとコンパレータ、電源管理ICS、マイクロコントローラー、センサー、無線周波数（RF）およびマイクロ波コンポーネントなどが含まれます。
ADIはイノベーションと顧客満足度に専念しており、ニーズを満たすために高品質で信頼できるソリューションを顧客に提供することに取り組んでいます。
エネルギー効率と持続可能性に焦点を当てたADIは、アナログおよび混合シグナルIC業界のリーダーであり、技術の進歩を推進し、世界で最も挑戦的な問題に革新的なソリューションを提供しています。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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