VT6045CHM3 データシート(PDF) - Vishay Siliconix

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VT6045CHM3 データシート (PDF) - Vishay Siliconix

VT6045CHM3 Datasheet PDF - Vishay Siliconix


部品番号	VT6045CHM3

ダウンロード	VT6045CHM3 ダウンロード

ファイルサイズ	135.28 Kbytes

ページ	5 Pages

メーカー	VISHAY [Vishay Siliconix]

ホームページ	http://www.vishay.com

Logo

部品情報	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.33 V at IF = 10 A

VT6045CHM3 Datasheet (PDF)

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部品番号	VT6045CHM3

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ページ	5 Pages

メーカー	VISHAY [Vishay Siliconix]

ホームページ	http://www.vishay.com

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部品情報	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.33 V at IF = 10 A

VT6045CHM3 データシート (HTML) - Vishay Siliconix

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VT6045CHM3 製品詳細

• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
• AEC-Q101 qualified

同様の部品番号 - VT6045CHM3

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Vishay Siliconix	VT6045CHM3	128Kb / 5P	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 22-Nov-13
	VT6045CHM3-4W	132Kb / 5P	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 23-Mar-11
	VT6045CHM3-4W	135Kb / 6P	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 23-Mar-11

同様の説明 - VT6045CHM3

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Vishay Siliconix	V80100P	107Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.425 V at IF = 10 A 26-May-08
	VBT2045C-M3	89Kb / 4P	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.33 V at IF = 5.0 A 03-Jan-17
	VBT3045C-E3	91Kb / 4P	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.30 V at IF = 5.0 A 09-Sep-13
	VE3045C-E3	123Kb / 4P	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.33 V at IF = 5 A 20-Dec-13
	VFT1045C-M3	88Kb / 4P	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 2.5 A 22-Nov-13
	V60H150PW-M3	94Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 10 A 04-Dec-13
	V80H150PW-M3	94Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.51 V at IF = 10 A 04-Dec-13
	V60170PW-M3	94Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 10 A 04-Dec-13
	V80170PW-M3	94Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.51 V at IF = 10 A 04-Dec-13

Vishay Siliconix について

Vishay Siliconixは、パッシブ電子コンポーネントのグローバルメーカーであるVishay Intertechnologyの子会社です。
Vishay Siliconixは、パワーMOSFET、IGBT、およびその他のパワー半導体の設計、製造、およびマーケティングを専門としています。
同社は1962年に設立され、カリフォルニア州サンタクララに本社を置いています。
Vishay Siliconixは、再生可能エネルギーシステム、産業機器、コンピューティングと通信、自動車電子機器など、さまざまなアプリケーション向けの電源ソリューションを提供しています。
同社の製品は、高効率、低消費電力、高い信頼性のために設計されており、高度な製造プロセスを使用して最先端の施設で製造されています。
イノベーションと顧客満足度に焦点を当てたVishay Siliconixは、ニーズを満たすために顧客に最良の電力管理ソリューションを提供することに取り組んでいます。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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