L412 データシート(PDF) - IXYS Corporation

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L412 データシート (PDF) - IXYS Corporation

L412 Datasheet PDF - IXYS Corporation


部品番号	L412

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メーカー	IXYS [IXYS Corporation]

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部品情報	High Voltage BIMOSFET

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L412 製品詳細

High Voltage BIMOSFET™ in High Voltage ISOPLUS i4-PAC™

Monolithic Bipolar MOS Transistor

Features
• High Voltage BIMOSFETTM
    - substitute for high voltage MOSFETs with significantly lower voltage drop
    - fast switching for high frequency operation
    - reverse conduction capability
• ISOPLUS i4-PACTM high voltage package
    - isolated back surface
    - enlarged creepage towards heatsink
    - enlarged creepage between high voltage pins
    - application friendly pinout
    - high reliability
    - industry standard outline

Applications
• switched mode power supplies
• DC-DC converters
• resonant converters
• lamp ballasts
• laser generators, x ray generators

同様の部品番号 - L412

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Connor-Winfield Corpora...	L412-155.52	119Kb / 2P	5.0x7.0mm Surface Mount LVDS Clock Oscillator Series
Unisonic Technologies	L4120	159Kb / 4P	40V/1.2A INTEGRATED POWER LED DRIVER
	L4120	167Kb / 4P	40V/1.2A INTEGRATED POWER LED DRIVER
	L4120G-AB5-R	167Kb / 4P	LED open-circuit protection
	L4120G-AB5-R	167Kb / 4P	40V/1.2A INTEGRATED POWER LED DRIVER

同様の説明 - L412

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
IXYS Corporation	IXBH9N140G	63Kb / 4P	High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH16N170A	51Kb / 2P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH20N140	61Kb / 4P	High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH15N140	63Kb / 4P	High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBF40N140	99Kb / 4P	High Voltage BIMOSFET
	IXBH10N170	596Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBF12N300	207Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	MMIX4B22N300	238Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBT20N360HV	286Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBT32N300HV	309Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

IXYS Corporation について

Ixys Corporationは、電力半導体および統合サーキット（IC）の設計、製造、販売を専門とするテクノロジー企業です。同社は1983年に設立され、カリフォルニア州ミルピタスに本社を置いています。 Ixysには世界的な存在感があり、世界中の60か国以上の運営と顧客がいます。

Ixysは、電力管理および制御アプリケーションのために、パワーMOSFET、パワーバイポーラトランジスタ、サイリスタ、ダイオード、ICSなど、幅広い製品とソリューションを提供します。同社の製品は、再生可能エネルギー、産業、自動車、家電など、さまざまなアプリケーションで使用されています。

Ixysは、電力半導体テクノロジーの専門知識と、顧客に高性能で費用対効果の高いソリューションを提供する能力で知られています。同社はイノベーションと研究開発に取り組んでおり、パワー半導体市場向けの新しいテクノロジーとソリューションの開発に積極的に関与しています。 Ixysは、Power Semiconductor Marketのリーダーであり、顧客に高品質の製品とサービスを提供し続けています。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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