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部品番号	2N5611

部品情報	DC Current Gain-

ファイルサイズ	71.6 Kbytes

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メーカー	NJSEMI [New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.]

ホームページ	http://www.njsemi.com

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同様の部品番号 - 2N5611

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Seme LAB	2N5611	11Kb / 1P	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed to66 Metal Package.
Savantic, Inc.	2N5611	114Kb / 3P	Silicon PNP Power Transistors
Quanzhou Jinmei Electro...	2N5611	131Kb / 3P	Silicon PNP Power Transistors
Inchange Semiconductor ...	2N5611	294Kb / 2P	isc Silicon PNP Power Transistors
Savantic, Inc.	2N5611	116Kb / 3P	Silicon PNP Power Transistors

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Samsung semiconductor	MJE700	252Kb / 6P	NPN (HIGH DC CURRENT GAIN)
Samsung semiconductor	TIP145F	175Kb / 4P	PNP (HIGH DC CURRENT GAIN)
Inchange Semiconductor ...	2SC4005	198Kb / 2P	High DC current gain.
Inchange Semiconductor ...	2SD1606	137Kb / 2P	High DC Current Gain
Unisonic Technologies	BD135G-XX-AA3-R	121Kb / 3P	high DC current gain
Unisonic Technologies	NP1510G-XX-AN6-R	122Kb / 3P	High DC current gain
First Silicon Co., Ltd	FTB1386	250Kb / 3P	Excellent DC current gain characteristics
First Silicon Co., Ltd	FTD2098	245Kb / 3P	Excellent DC current gain characteristics
SHIKUES Electronics	2SD2098	3Mb / 4P	Excellent DC current gain characteristics