BPW34 datasheet(2/8 Pages) OSRAM

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2016-03-31

Version 1.4

BPW 34

Maximum Ratings (TA = 25 °C)

Characteristics (T

A = 25 °C)

Parameter

Symbol

Values

Unit

Operating and storage temperature range

op; Tstg

-40 ... 100

°C

Reverse voltage

Total Power dissipation

tot

150

ESD withstand voltage

(acc. to ANSI/ ESDA/ JEDEC JS-001 - HBM)

ESD

2000

Parameter

Symbol

Values

Unit

Spectral sensitivity

(VR = 5 V, standard light A, T = 2856 K)

(typ)

nA/Ix

Photocurrent

v = 1000 lx, Std. Light A, VR = 5 V)

(typ (min))

80 (≥ 50)

µA

Wavelength of max. sensitivity

(typ)

S max

850

Spectral range of sensitivity

(typ)

10%

(typ) 400

... 1100

Radiant sensitive area

(typ)

7.02

Dimensions of radiant sensitive area

(typ)

L x W

2.65 x 2.65

mm x

Half angle

(typ)

± 60

Dark current

R = 10 V)

(typ (max)) IR

2 (≤ 30)

Spectral sensitivity of the chip

(λ = 850 nm)

(typ)

λ typ

0.62

A / W

Quantum yield of the chip

(λ = 850 nm)

(typ)

0.90

Electro

/Photon

Open-circuit voltage

v = 1000 lx, Std. Light A)

(typ (min))

365 (≥ 300)

Short-circuit current

v = 1000 lx, Std. Light A)

(typ)

µA

Rise and fall time

(VR = 5 V, RL = 50 Ω, λ = 850 nm, IP = 800 µA)

(typ)

r, tf

0.02

µs

Forward voltage

(IF = 100 mA, E = 0)

(typ)

1.3

Capacitance

R = 0 V, f = 1 MHz, E = 0)

(typ)

Temperature coefficient of V

(typ)

-2.6

mV / K

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