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FS75R12KS4 データシート(PDF) 4 Page - Infineon Technologies AG |
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FS75R12KS4 データシート(HTML) 4 Page - Infineon Technologies AG |
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4 / 7 page ![]() 4 TechnischeInformation/TechnicalInformation FS75R12KS4 IGBT-Module IGBT-modules preparedby:MK approvedby:RS dateofpublication:2013-10-02 revision:2.1 VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=75A,VCE=600V RG [ Ω] 0,0 10,0 20,0 30,0 40,0 50,0 60,0 70,0 0 5 10 15 20 25 30 35 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJC=f(t) t [s] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,01 0,1 1 ZthJC : IGBT i: ri[K/W]: τi[s]: 1 0,02796 0,002 2 0,08463 0,03 3 0,11028 0,066 4 0,02713 1,655 SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=7.5 Ω,Tvj=125°C VCE [V] 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0 30 60 90 120 150 180 IC, Modul IC, Chip DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) VF [V] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 0 25 50 75 100 125 150 Tvj = 25°C Tvj = 125°C |
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