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ISCN1863P データシート(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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ISCN1863P データシート(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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1 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc website: www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 1 isc Silicon PNP Power Transistor ISCN1863P DESCRIPTION · High Current Capability · High Power Dissipation · High Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO=- 260V(Min) · Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS · Audio Power amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage -260 V VCEO Collector-Emitter Voltage -260 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current-Continuous -15 A IB Base Current-Continuous -4 A PC Collector Power Dissipation @ TC=25℃ 150 W TJ Max.Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~150 ℃ |
同様の部品番号 - ISCN1863P |
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同様の説明 - ISCN1863P |
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