2SB1669 datasheet(2/2 Pages) ISC

部品番号	2SB1669

部品情報	isc Silicon PNP Power Transistor

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メーカー	ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]

ホームページ	http://www.iscsemi.cn

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INCHANGE Semiconductor

isc website：www.iscsemi.com

isc & iscsemi is registered trademark

isc Silicon PNP Power Transistor

2SB1669

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TC=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP

MAX

UNIT

VCE(sat)NOTE

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC= -3.0A; IB= -300mA

-1.0

VBE(sat)NOTE

Base-Emitter Saturation Voltage

IC= -3.0A; IB= -300mA

-2.0

ICBO

Collector Cutoff Current

VCB= -60V; IE= 0

-10

hFE1NOTE

DC Current Gain

IC= -0.5A; VCE= -5V

100

400

hFE2NOTE

DC Current Gain

IC= -3A; VCE= -5V

Transition frequency

VCE=-5V ,IC=-500mA

MHz

Cob

Collector output capacitance

VCB=-10V ,IE=0,f=1MHz

NOTE:Pulse test PW≤350us,duty cycle ≤2%

Switching Times

ton

Turn-on Time

IC= -2A; IB1= -IB2= -0.2A,

0.4

tstg

Storage Time

1.7

Fall Time

0.5

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