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BLD137DL データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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BLD137DL データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 2 isc Silicon NPN Power Transistors BLD137DL ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= 10mA; IB= 0 200 V VCBO Collector-Base Voltage IC= 1mA; IE= 0 400 V VEBO Emitter-Base Voltage IE= 1mA; IC= 0 9 V VCE(sat)1 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 2A; IB= 0.4A 0.5 V VCE(sat)2 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 10A; IB= 2A 1.5 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 10A;VCE= 2V 1.5 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 400V 100 μ A ICEO Collector Cutoff Current VCE= 200V; IB= 0 250 μ A hFE-1 DC Current Gain IC= 10mA; VCE= 5V 7 hFE-2 DC Current Gain IC= 2A; VCE= 5V 10 40 hFE-3 DC Current Gain IC= 12A; VCE= 5V 5 |
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