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ISCB730N データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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ISCB730N データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 2 isc Silicon NPN Power Transistor ISCB730N ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 500mA; IB= 50mA 1.0 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 500mA; IB= 50mA 1.5 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 150V; IE= 0 1.0 μ A IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 3.0V; IC=0 1.0 μ A hFE-1 DC Current Cain IC= 5mA ; VCE= 5V 30 hFE-2 DC Current Cain IC= 150mA ; VCE= 5V 60 320 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= 100mA ; VCE= 10V 95 MHz COB Output Capacitance IE= 0 ; VCB= 10V;ftest= 1.0MHz 30 pF hFE-2 Classifications R Q P 60-120 100-200 160-320 |
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