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IRLS4030 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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IRLS4030 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2 / 2 page ![]() isc website:www.iscsemi.cn isc & iscsemi is registered trademark 2 Isc N-Channel MOSFET Transistor IRLS4030 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V; ID= 0.25mA 100 V VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS=VGS; ID=0.25mA 1.0 2.5 V RDS(on) Drain-Source On-Resistance VGS= 10V; ID=110A 3.4 4.3 mΩ IGSS Gate-Source Leakage Current VGS= ±16V;VDS= 0V ± 0.1 μ A IDSS Drain-Source Leakage Current VDS=100V; VGS= 0V;Tj=25℃ VDS=80V; VGS= 0V;Tj=125℃ 20 250 μ A VSDF Diode forward voltage ISD=110A, VGS = 0 V 1.3 V |
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