| データシートサーチシステム |
|
LKVIPER22A データシート(PDF) 3 Page - Linkage Goston Electronics Co., LTD |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
LKVIPER22A データシート(HTML) 3 Page - Linkage Goston Electronics Co., LTD |
|
3 / 8 page ![]() - 3 - 极限参数 极限参数(TA= 25℃) 符号 说明 范围 单位 VDS(max) 芯片 DRAIN 脚最高耐压 -0.3~730 V VDS(ST) 芯片启动时,DRAIN 脚最高耐压 -0.3~400 V VDD 芯片电源电压 -0.3~39 V Ivdd 嵌位电流 10 mA IFB 最大反馈电流 3 mA VESD ESD 电压 >4000 V TJ 结温 -40~150 ℃ TSTG 存储温度 -55~150 ℃ 热阻参数 符号 说明 单位 RthJA 热阻(1) 45 ℃/W 注(1):芯片要焊接在有 200mm2 铜箔散热的 PCB 板,铜箔厚度 35um,铜箔连接到所有的 GND 脚。 电气工作参数 (除非特殊说明,下列条件均为 TA=25℃,VDD=18V) 符号 说明 条件 范围 单位 最小 典型 最大 BVDS 漏源击穿电压 VFB=2V; ID=1mA 730 - - V IDSS DRAIN 端关断态漏电流 VFB=2V; VDS=500V - - 0.1 mA RDS(on) 源漏端导通电阻 ID=0.2A - 12 - Ohm VDDON VDD 开启电压 13 14.5 16 V VDDOFF VDD 关闭电压 7 8 9 V VDDHYS VDD 迟滞阈值电压 - 6.5 - V VDDOVP VDD 过压保护阈值 - 39 - V IDD1 VDD 工作电流 IFB=2.0mA - 0.4 - mA IDD2 VDD 工作电流 IFB=0.5mA;ID=50mA - 1.0 - mA IDDCH 芯片充电电流 VDS=100V; VDD=5V - -220 - uA FOSC 芯片振荡频率 - 60 - KHz GID IFB/IDRAIN 增益 - 560 - ILIMIT 峰值电流阈值 VFB=0V - 700 - mA IFBSD FB 关断电流 - 0.9 - mA RFB FB 输入电阻 ID=0mA - 1.23 - Kohm tLEB 前置消隐时间 - 300 - ns tON(min) 最小导通时间 - 700 - ns tOVT 过温保护温度 - 150 - ℃ tHYS 过温迟滞阈值温度 - 30 - ℃ 注:如需最新资料或技术支持,请与我们联系 AC/DC PWM 功率开关 v1.6 LK VIPer22A LK VIPer22A sale@linkage.cn 业务电话:400-033-6518 www.linkage.cn |
|
|
リンク URL |
| ALLDATASHEETはお客様のビジネスに役立ちますか? [ DONATE ] |
Alldatasheetは | 広告 | お問い合わせ | プライバシーポリシー | データシートへのリンク | リンク交換 | メーカーリスト All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |