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IRLML6302 データシート(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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IRLML6302 データシート(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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1 / 2 page  isc website：www.iscsemi.cn isc & iscsemi is registered trademark 1 Isc P-Channel MOSFET Transistor IRLML6302 · FEATURES · With SOT-23 package · Low input capacitance and gate charge · Low gate input resistance · 100% avalanche tested · Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation · APPLICATIONS · Switching applications · ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VDSS Drain-Source Voltage -20 V VGSS Gate-Source Voltage ± 12 V ID Drain Current-ContinuousTc=25℃ Tc=70℃ -0.78 -0.26 A IDM Drain Current-Single Pulsed -4.9 A PD Total Dissipation @TC=25℃ 540 mW Tch Max. Operating Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55~150 ℃ · THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth(ch-a) Channel-to-ambient thermal resistance 230 ℃ /W |
同様の部品番号 - IRLML6302 |
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同様の説明 - IRLML6302 |
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