2012/8/15 

p.4 

EMB17A03V

T   = ‐55° C

V   ‐ Gate‐Source Voltage( V )

1

5

0

10

2.0

1.5

GS

V   = 10V

20

15

25

30

DS

A

3.0

2.5

3.5

25° C

125° C

Transfer Characteristics

Body Diode Forward Voltage Variation 

with Source Current and Temperature

25° C

T   = 125° C

V   ‐ Body Diode Forward Voltage( V )

0.001

0

0.01

0.1

0.4

SD

0.2

0.6

V    = 0V

1

10

100

A

GS

1.0

0.8

1.2

‐55° C

1.4

On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage

T   = 125°C

V   ‐ Gate‐Source Voltage( V )

0

2

0.01

0.03

0.02

GS

4

6

T   = 25°C

A

A

0.07

0.05

0.04

0.06

0.08

810

I   = 5 A

D

V   ‐ Drain Source Voltage( V )

0

0

16

DS

1

2

6V

32

40

7V

5V

3

45

4.5V

On‐Region Characteristics

8

24

V  = 10V

GS

I   ‐ Drain Current(A)

1.6

0.8

0

1.2

1.0

1.4

8

D

16

GS

V    = 4.5 V

2.2

1.8

2.0

2.4

24

32

7.0 V

6.0 V

5.0 V

10 V

40

On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage

On‐Resistance Variation with Temperature

T  ‐ Junction Temperature (°C)

0.4

‐50

0.7

1.0

0

J

‐25

25

D

I   = 10A

V   = 10V

1.3

1.6

1.9

GS

125

50

75

100

150