2013/12/20 

p.4 

EMDA0P10F

‐V   ‐ Drain‐Source Voltage( V )

45

0

0

15

30

DS

10

20

V    = ‐ 10.0V

‐ 7.0V

60

75

GS

30

40

50

On‐Region Characteristics

‐ 8.0V

On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage

‐ I   ‐ Drain Current( A )

1.5

0.5

0

1.0

15

D

30

GS

V    = ‐ 7.0 V

2.0

45

60

‐ 8.0 V

‐ 10.0 V

75

2.5

On‐Resistance Variation with Temperature

T   ‐ Junction Temperature (°C)

‐50

0.4

0.7

1.0

0

J

‐25

25

D

I   = ‐22 A

V     = ‐ 10V

1.3

1.6

1.9

GS

125

50

75

100

150

On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage

T   = 25°C

T   = 125°C

‐ V   ‐ Gate‐Source Voltage( V )

6

0

2

0.10

GS

4

A

0.20

0.30

0.40

8

A

10

I   = ‐ 11 A

D

A

T   = ‐55°C

‐V   ‐ Gate‐Source Voltage( V )

2

10

0

30

GS

3

V   = ‐ 10V

50

20

40

60

DS

45

6

25°C

125°C

Transfer Characteristics

Body Diode Forward Voltage Variation

with Source Current and Temperature

25°C

‐V   ‐ Body Diode Forward Voltage( V )

0.001

0

0.01

0.1

0.4

SD

0.2

0.6

V    = 0V

1

10

100

GS

A

T   = 125°C

1.0

0.8

1.2

‐55°C

1.4

 

TYPICAL CHARACTERISTICS