EMF90P02A datasheet(4/5 Pages) EXCELLIANCE

部品番号	EMF90P02A

部品情報	P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

PDF	5 Pages

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メーカー	EXCELLIANCE [Excelliance MOS Corp.]

ホームページ	http://www.excelliancemos.com/

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2008/08/04

p.4

EMF90P02A

T ‐ Junction Temperature (° C)

‐50

150

100

Gate Threshold Voltage v.s. Junction Temperature

1.5

1.25

1.0

0.75

0.50

0.25

150

100

125

Maximum Drain Current v.s. Case Temperature

T ‐ Case Temperature (° C)

Typical Power Dissipation

T , Case Temperature

100

150

Maximum Safe Operating Area

10ms

R = 5° C/W

V = ‐4.5V

Single Pulse

T = 25° C

100ms

R Limit

100

DS(ON)

100

100μs

1ms

‐V ‐ Drain‐Source Voltage(V)

θJC

Effective Transient Thermal Impedance

Single Pulse

0.00001

0.001

0.0001

0.1

Notes:

2.R =5° C/W

1.Duty Cycle,D =

0.01

0.1

t , Pulse Width(ms)

4.R (t)=r(t) * R

3.T ‐ T = P * R (t)

Duty Cycle = 0.5

0.2

0.05

0.02

0.01

0.1

0.01

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