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HM2467 データシート(PDF) 7 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd |
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HM2467 データシート(HTML) 7 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd |
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7 / 10 page  电特性参数 如无特殊规定，TA=25℃ 符号 参数 测试条件 最小 典型 最大 单位 电源电压(VM,VCC) VM 电流 IVM1 关断模式下 VM 电流 VM=5V ; VCC=3V; 无 PWM 关断模式 70 µA IVM2 正/反转模式下 VM 电流 VM=5V ; VCC=3V ; 无 PWM 正/反转模式 350 µA IVM3 刹车模式下 VM 电流 VM=5V ; VCC=3V ; 无 PWM 刹车模式 70 µA IVM4 PWM 输入时 VM 电流 VM=5V ; VCC=3V PWM=50KHz 280 µA IVMQ 休眠模式下 VM 电流 VM=5V ; VCC=3V nSLEEP=0 5 nA VCC 电流 IVCC1 关断模式下 VCC 电流 VM=5V ; VCC=3V; 无 PWM 关断模式 380 µA IVCC2 正/反转模式下 VCC 电流 VM=5V ; VCC=3V ; 无 PWM 正/反转模式 500 µA IVCC3 刹车模式下 VCC 电流 VM=5V ; VCC=3V ; 无 PWM 刹车模式 550 µA IVCC4 PWM 输入时 VCC 电流 VM=5V ; VCC=3V PWM=50KHz 450 µA IVCCQ 休眠模式下 VCC 电流 VM=5V ; VCC=3V nSLEEP=0 2 nA 逻辑输入 (IN1, IN2, nSLEEP) VIL 输入逻辑低电平 0.3*VCC V VIH 输入逻辑高电平 0.5*VCC V IIL 逻辑低电平输入的电流 VIN=0V 5 µA IIH 逻辑高电平输入的电流 VIN=3.3V 50 µA RPD 下拉电阻 IN1 IN2 nSLEEP 100 K Ω 马达驱动输出 (OUT1, OUT2) rDS(ON) 上臂+下臂 MOS 阻抗 VM=5V ; VCC=3V ; Io=800mA ; Tj=25℃ 1 Ω IOFF 关断状态下漏电流 VOUT=0V 5 nA 保护功能 VUVLO VCC 欠压锁定 VCC 下降 1.6 V VCC 上升 1.8 V IOCP 过流保护触发点 1.2 2 A tRETRY 过流保护恢复时间 1 mS TTSD 过温保护温度点 芯片温度 160 ℃ |
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