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ISCNL125I データシート(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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ISCNL125I データシート(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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1 / 2 page  isc website：www.iscsemi.cn isc & iscsemi is registered trademark 1 isc N-Channel MOSFET Transistor ISCNL125I · FEATURES · Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤85mΩ · 100% avalanche tested · Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation · DESCRIPTION · Switching applications · ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VDSS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage ± 20 V ID Drain Current-Continuous 15 A IDM Drain Current-Single Pulsed 60 A PD Total Dissipation @TC=25℃ 50 W Tj Max. Operating Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55~150 ℃ · THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth(j-c) Channel-to-case thermal resistance 2.5 ℃ /W |
同様の部品番号 - ISCNL125I |
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同様の説明 - ISCNL125I |
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