PJM3416NSA datasheet(1/7 Pages) PJSEMI

部品番号	PJM3416NSA

部品情報	N- Enhancement Mode Field Effect Transistor

PDF	7 Pages

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メーカー	PJSEMI [Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd,]

ホームページ	http://www.pingjingsemi.com/MainEn/Main.aspx

Logo

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Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

VDS

20

V

Gate-Source Voltage

VGS

±8

V

Drain Current-Continuous

ID

6.5

A

Drain Current-Pulsed Note1

IDM

30

A

Maximum Power Dissipation

PD

0.9

W

Operating Junction and Storage Temperature Range

TJ,TSTG

150,-55 To 150

℃

Thermal Resistance,Junction-to-Ambient Note2

RθJA

139

℃

/

W

PJM3416NSA

N- Enhancement Mode Field Effect Transistor

1 / 7

SOT-23

Applications



Load switch



PWM applications

Features



VDS = 20V,ID = 6.5A

RDS(ON) < 26mΩ @ VGS=2.5V

RDS(ON) < 22mΩ @ VGS=4.5V



High power and current handing capability



ESD protected(HBM) up to 2KV

Schematic diagram

Absolute Maximum Ratings

Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.

Thermal Characteristics

1. Gate 2.Source 3.Drain

Marking: R16

www.pingjingsemi.com

Revision：1.0 May-2019

D

S

G

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