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FTK2012 データシート(PDF) 1 Page - First Silicon Co., Ltd |
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FTK2012 データシート(HTML) 1 Page - First Silicon Co., Ltd |
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1 / 4 page ![]() 2014. 10. 10 1/4 SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA FTK2012 Revision No : 0 N-Channel MOSFET 1. DRAIN 2. DRAIN 3. GATE 4. SOURCE 5. DRAIN 6. DRAIN DFNWB2 ×2-6L-J V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 20V 11mΩ@ 4.5V 12A 13mΩ@ 2.5V 16mΩ@1.8V 22mΩ@1.5V 41mΩ@1.2V FEATURES APPLICATION MARKING: Equivalent Circuit TrenchFET Power MOSFET Small package DFNWB2×2-6L-J Load Switch for Portable Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 ℃ unless otherwise noted) Symbol Para meter Value Unit VDS Drain-Source Voltage 20 V VGS Gate-Source Voltage ±10 V ID Continuous Drain Current (note 1) 12 A IDM Collector Current-Pulse(Note3) 40 A RθJA Thermal Resistance from Junction to Ambient (note 2) 167 ℃/W Tj Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55~+150 ℃ TL Lead Temperature for Soldering Purposes(1/8’’ from case for 10 s) 260 ℃ |
同様の部品番号 - FTK2012 |
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同様の説明 - FTK2012 |
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